MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路,，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種,。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型,。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制,，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因,。場(chǎng)效應(yīng)管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓,，適用于高壓電路,。徐州P溝道場(chǎng)效應(yīng)管廠家

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal),、氧化物(oxide),、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator),、半導(dǎo)體,。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）,，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。FET的增益等于它的跨導(dǎo),， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比,。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管,。上海金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管定制場(chǎng)效應(yīng)管可以通過(guò)串聯(lián)或并聯(lián)的方式實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的電路功能,。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動(dòng),，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線在彎曲時(shí),，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。（2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達(dá)到30W,。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞,，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè),，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。

下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn),，然后對(duì)1,，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓,，并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效,。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過(guò)大,，損耗過(guò)高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。3：體二極管失效：在橋式,、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效,。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過(guò)程中,，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié),，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效,。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效,。場(chǎng)效應(yīng)管在電子器件中的功率管理、信號(hào)放大等方面有重要作用,。

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度,、輻射等外界條件很敏感,，因此,，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適,。3.場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用,。4.場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此,，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活,。JFET有三個(gè)電極：柵極,、漏極和源極,，工作原理類似MOSFET,。徐州P溝道場(chǎng)效應(yīng)管廠家

場(chǎng)效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓,，可實(shí)現(xiàn)精確控制,。徐州P溝道場(chǎng)效應(yīng)管廠家

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型,。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn),、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述,。MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道,、P溝道）,。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見(jiàn)上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極，相當(dāng)于的基極,；電極 S（Source）稱為源極,，相當(dāng)于發(fā)射極。徐州P溝道場(chǎng)效應(yīng)管廠家