對(duì)比：場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場(chǎng)效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b、集電極c,，它們的作用相似。2.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD,，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件,，由iB（或iE）控制iC。3.場(chǎng)效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流,。因此場(chǎng)效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場(chǎng)效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,，因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好,、抗輻射能力強(qiáng),。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)考慮其耐壓,、耐流等參數(shù),，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。南京源極場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,，它們是：柵極,；漏極；源極,。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈小,；反之,，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù)，則溝道變寬,，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說(shuō),，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,。東莞小噪音場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)在于低噪聲、高放大倍數(shù)和低失真,，適用于高要求的音頻放大電路中,。

開(kāi)始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí),，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱(chēng)為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí),，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相似。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過(guò)導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等,，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小,，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來(lái)越薄，當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時(shí),，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,，如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點(diǎn)將向源極方向移動(dòng),，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進(jìn)入飽和區(qū)，iD幾乎只由vGS決定,。場(chǎng)效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,。

電極，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外，所有的FET也有第四端,，被稱(chēng)為體（body）,、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行,；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L,，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,，0.2微米則是約30GHz,。熟練掌握?qǐng)鲂?yīng)管的使用方法和注意事項(xiàng),，對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)是提升電路設(shè)計(jì)能力和解決實(shí)際問(wèn)題的重要技能。南京源極場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

場(chǎng)效應(yīng)管在電子設(shè)備中普遍應(yīng)用,，如音頻放大器,、電源管理等。南京源極場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過(guò)絕緣層耐壓均會(huì)擊穿,，故有兩個(gè)方向“±”,。注③：漏級(jí)較大電流ID與體二極管流過(guò)的反向漏級(jí)較大電流IDR（或稱(chēng)為IS）一般規(guī)格書(shū)中數(shù)值一致，均為流過(guò)N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書(shū)數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。南京源極場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家