MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用,，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名頭一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品,。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板,、NB、計(jì)算機(jī)類適配器,、LCD顯示器等產(chǎn)品,，隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器,、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制,、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了,。場(chǎng)效應(yīng)管在電子器件中的功率管理,、信號(hào)放大等方面有重要作用。中山小噪音場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的作用：1,、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,，由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,，常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3,、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。5,、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管的分類：場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類,。中山小噪音場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制，避免損壞器件,。

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過(guò)器件,。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS。

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成,。在JFET中，柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動(dòng),。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場(chǎng)效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過(guò)渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過(guò)Vth時(shí),，通道形成，電流開始流動(dòng),。場(chǎng)效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色,，能夠保持較低的失真和較高的效率。

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置,，所以只有很小的電流從drain流向backgate,，如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel,。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,，由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain，總的來(lái)說(shuō),，只有在gate 對(duì)source電壓V 超過(guò)閾值電壓Vt時(shí),，才會(huì)有drain電流。在對(duì)稱的MOS管中,，對(duì)source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性,，定義上，載流子流出source,，流入drain,，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來(lái)決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的,，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色,，這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source,。場(chǎng)效應(yīng)管利用輸入電場(chǎng)控制輸出電流,，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點(diǎn)。中山小噪音場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管在電子設(shè)備中普遍應(yīng)用,，如音頻放大器,、電源管理等。中山小噪音場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一,、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場(chǎng)效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來(lái)就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了,。場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,。場(chǎng)效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導(dǎo)電過(guò)程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng),，類似金屬導(dǎo)電,。中山小噪音場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格