場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應選用場效應管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管,。（2）場效應管是利用多數載流子導電,，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子,，也利用少數載流子導電,。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負,，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應用。場效應管利用電場控制載流子的流動,，通過改變柵極電壓,，控制源極和漏極之間的電流。中山單極型場效應管測量方法

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管,。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電,，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小,、功耗低,、動態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者,。無錫漏極場效應管尺寸場效應管的靈敏度較高,，可以實現(xiàn)精確的電流控制。

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電,、短路,、斷路、放大,。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象,。1、把連接柵極和源極的電阻移開,，萬用表紅黑筆不變,，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電,，不變則完好。2,、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來,，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好,。3,、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上,，好的表針指示應該是無限大,。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,，然后把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0,，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,，產生柵極電場，因為電場產生導致導電溝道致使漏極和源極導通,，故萬用表指針偏轉,，偏轉的角度大,，放電性越好。

雪崩失效的預防措施,，雪崩失效歸根結底是電壓失效,，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理,。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取,。2：合理的變壓器反射電壓,。合理的RCD及TVS吸收電路設計。4：大電流布線盡量采用粗,、短的布局結構,，盡量減少布線寄生電感。5：選擇合理的柵極電阻Rg,。6：在大功率電源中,，可以根據需要適當的加入RC減震或齊納二極管進行吸收。MOSFET是最常見的場效應管,，其優(yōu)勢在于高輸入電阻和低功耗,。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產生的,。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免,，后邊再詳細介紹,。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管,。這個叫體二極管,，在驅動感性負載（如馬達），這個二極管很重要,?？梢栽贛OS管關斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句,，體二極管只在單個的MOS管中存在,，在集成電路芯片內部通常是沒有的。場效應管的主要優(yōu)勢之一是控制融合度相對較高,。徐州雙柵極場效應管市場價格

場效應管是一種重要的半導體器件,，它利用電場效應控制電流，實現(xiàn)電路的開關和放大功能,。中山單極型場效應管測量方法

本文介紹N溝道增強型MOSFET場效應管,；（1）結構,，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū),，并用金屬鋁引出兩個電極,，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管,。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的。中山單極型場效應管測量方法