MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用,，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇,，當(dāng)V8V存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由V8V提供,，將PMOS關(guān)閉,，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時(shí),，VSIN由8V供電,。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,，確保PMOS的正常開啟,，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌,。D9可以省略,。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到,，實(shí)際應(yīng)用要注意,。場(chǎng)效應(yīng)管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓,，適用于高壓電路,。珠海功耗低場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí),，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn),，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí),，吸引到P襯底表面層的電子就增多,，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層,，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通,，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反,，故又稱為反型層,，如圖1(c)所示。vGS越大,，作用于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)就越強(qiáng),，吸引到P襯底表面的電子就越多，導(dǎo)電溝道越厚,，溝道電阻越小,。徐州單極型場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管具有較高的耐熱性能，適用于高溫環(huán)境,。

SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說下第二點(diǎn),，SOA失效，SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面,，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式,。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式,。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件較大的耗散功率,。4：受限于較大單個(gè)脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū),。我們電源上的MOSFET,，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生,。這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖,，由于去過鋁，可能看起來不那么直接,，參考下,。

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們?cè)倏紤]了，一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線,，感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。場(chǎng)效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度,、電壓應(yīng)力等因素有關(guān),。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：一,、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。三,、開啟電壓,。開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。四,、跨導(dǎo)?？鐚?dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，用于放大或開關(guān)電路中的信號(hào)。南京半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管廠家供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是在電路中放大或開關(guān)信號(hào),，用于控制電流或電壓,。珠海功耗低場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極,，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，Junction-FET,，JFET）,。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。珠海功耗低場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)