場效應(yīng)管使用優(yōu)勢：場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度、電壓應(yīng)力等因素有關(guān),。佛山金屬場效應(yīng)管加工

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET,。溝道的選擇,。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān),。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤],。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí),，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,，這也是出于對電壓驅(qū)動(dòng)的考慮,。銅陵場效應(yīng)管行價(jià)在設(shè)計(jì)電路時(shí)，合理選擇場效應(yīng)管的型號和工作參數(shù),，以滿足電路要求,。

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù),，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,，對開關(guān)應(yīng)用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性,。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),，但對于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS(ON)是一個(gè)相對靜態(tài)參數(shù),。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外,，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力,。RθJC的較簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型,；當(dāng)柵壓為零,，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型,。作用：1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。選擇場效應(yīng)管時(shí),，應(yīng)考慮其耐壓、耐流等參數(shù),，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行,。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓,，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。2,、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3,、漏源擊穿電壓,，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù),，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。4,、較大耗散功率,，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。5,、較大漏源電流，較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí),，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。場效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作。佛山金屬場效應(yīng)管加工

IGBT結(jié)合了場效應(yīng)管和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn),，適用于高電壓和高頻率的場合,。佛山金屬場效應(yīng)管加工

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以,。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn)：單電源工作,，控制信號與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合,。來看這個(gè)電路,，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中,，源漏兩端沒有接反,，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大，R113控制柵極的常態(tài),，將R113上拉為高,，截至PMOS，同時(shí)也可以看作是對控制信號的上拉,，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時(shí),，即輸出為開漏時(shí),，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉，此時(shí),，就需要外部電壓給予的上拉,，所以電阻R113起到了兩個(gè)作用。R110可以更小,，到100歐姆也可,。佛山金屬場效應(yīng)管加工