MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路,，MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種,。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型,。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因,。基本場效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高,、輸入電容低,。深圳源極場效應(yīng)管哪家好

場效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”,。更正確地說,，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng),。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷,。深圳源極場效應(yīng)管哪家好場效應(yīng)管的發(fā)展趨勢是向著高集成度,、低功耗、高可靠性和多功能化方向發(fā)展,。

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們再考慮了,，一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式,，IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線，感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí),，二極管導(dǎo)通,，其PN結(jié)有電流通過,。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極,，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng),，其PN結(jié)沒有電流通過,，二極管截止,。在柵極沒有電壓時(shí),，由前面分析可知,，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過,，此時(shí)場效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）,。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時(shí)，由于電場的作用,，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中,，從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通,。可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁,，該橋的大小由柵壓的大小決定。場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流,，應(yīng)用于精密測量、激光器等領(lǐng)域,。

N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似,。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時(shí)，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時(shí)，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子),，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時(shí)，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD,。 如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬,，溝道電阻變小,，iD增大。反之vGS為負(fù)時(shí),，溝道中感應(yīng)的電子減少,，溝道變窄，溝道電阻變大,，iD減小,。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí)，導(dǎo)電溝道消失,，iD趨于零,，管子截止，故稱為耗盡型,。溝道消失時(shí)的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同,，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值,，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作,。而后者在vGS=0,，vGS>0MOSFET是最常見的場效應(yīng)管，其優(yōu)勢在于高輸入電阻和低功耗,。深圳源極場效應(yīng)管哪家好

使用場效應(yīng)管時(shí)需要注意靜電放電問題,，避免對器件造成損壞。深圳源極場效應(yīng)管哪家好

場效應(yīng)管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流,。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電,，因此也被稱為單極型晶體管,。分類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET,。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）：分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時(shí),，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,，即使沒有外加電壓，也會(huì)有漏極電流（ID）,。這是因?yàn)樵谥圃爝^程中,，通過摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷,，形成導(dǎo)電溝道,。增強(qiáng)型MOS管：在VGS為零時(shí)是關(guān)閉狀態(tài)，不導(dǎo)電,。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時(shí),，才會(huì)在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子，形成導(dǎo)電溝道,。深圳源極場效應(yīng)管哪家好