對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開(kāi)關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以,。對(duì)于1kVA左右開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ?，控制信?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合,。在開(kāi)關(guān)電路中，場(chǎng)效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作,，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中,。P溝道場(chǎng)效應(yīng)管加工

場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。二,、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。三,、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。四,、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān),。場(chǎng)效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來(lái)就可以運(yùn)用它做一些電子開(kāi)發(fā)了。場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,。場(chǎng)效應(yīng)管又是單極型晶體管,，即導(dǎo)電過(guò)程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng)，類(lèi)似金屬導(dǎo)電,。深圳氧化物場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝成熟,，產(chǎn)量大,，成本低，有利于大規(guī)模應(yīng)用,。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱(chēng)MOS管,，制造非對(duì)稱(chēng)晶體管有很多理由，但所有的較終結(jié)果都是一樣的,，一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain,，另一個(gè)被優(yōu)化作為source，如果drain和source對(duì)調(diào),，這個(gè)器件就不能正常工作了,。晶體管有N型channel所有它稱(chēng)為N-channel MOS管，或NMOS,。P-channel MOS管也存在,，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置,，電子就被吸引到表面,，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累,，沒(méi)有channel形成,。

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒(méi)有辦法避免,，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管,。這個(gè)叫體二極管,，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個(gè)二極管很重要,?？梢栽贛OS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的電動(dòng)勢(shì)提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說(shuō)一句,，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流,。

mos管,，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。MOS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管,，Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域,。其中一個(gè)稱(chēng)為source,，另一個(gè)稱(chēng)為drain，假設(shè)source 和backgate都接地,，drain接正電壓,，只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會(huì)形成channel,。使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，需要注意柵極電壓的控制范圍，以避免損壞器件,。深圳耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管廠家精選

使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)需要注意靜電放電問(wèn)題，避免對(duì)器件造成損壞,。P溝道場(chǎng)效應(yīng)管加工

與雙極型晶體管相比,，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID（漏極電流）,；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低,。P溝道場(chǎng)效應(yīng)管加工