場效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”,。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場,，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動,。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷。在開關(guān)電路中,，場效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)操作,，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中。深圳柵極場效應(yīng)管廠家直銷

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓,。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。2、較大耗散功率,。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。3,、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管正常工作時,，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。深圳柵極場效應(yīng)管廠家直銷場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用,，如電機(jī)驅(qū)動、電源管理等,。

場效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,，簡寫成FET,。場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類,。

N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時,，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時,，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負(fù)離子),，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD,。 如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬,，溝道電阻變小,，iD增大。反之vGS為負(fù)時,，溝道中感應(yīng)的電子減少，溝道變窄,，溝道電阻變大,，iD減小。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時,，導(dǎo)電溝道消失,，iD趨于零，管子截止,，故稱為耗盡型,。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示,。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同,，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值，但是,，前者只能在vGS<0的情況下工作,。而后者在vGS=0，vGS>0場效應(yīng)管的工作原理基于電場對半導(dǎo)體材料中電荷分布的影響,，從而改變其導(dǎo)電性能,。

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù),，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,，對開關(guān)應(yīng)用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性,。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),，但對于充分的柵極驅(qū)動，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù),。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外,，慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力,。RθJC的較簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。使用場效應(yīng)管時需要注意靜電放電問題,，避免對器件造成損壞,。P溝道場效應(yīng)管加工

場效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長,。深圳柵極場效應(yīng)管廠家直銷

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：1,、結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管,。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極,，它們是：柵極；漏極,；源極,。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號,，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈?。环粗?，如果柵極電壓沒有那么負(fù),，則溝道變寬，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說，場效應(yīng)管是電壓控制元件,。深圳柵極場效應(yīng)管廠家直銷