以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極,，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí),，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引,，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開(kāi)啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí),，N溝道管開(kāi)始導(dǎo)通，形成漏極電流ID,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(lái)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，Junction-FET,，JFET）。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET）,，從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，需要注意柵極電壓的控制范圍,，以避免損壞器件。深圳柵極場(chǎng)效應(yīng)管

在近期的工作中,，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)管,，在查找相關(guān)資料時(shí)，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件,，比如mos管,、二極管、三極管，網(wǎng)上甚至有種說(shuō)法：場(chǎng)效應(yīng)管和mos管就是一種東西,。這種說(shuō)法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的,，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件，本文就給大家詳細(xì)科普一下,！場(chǎng)效應(yīng)管,，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，主要有兩種類(lèi)型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。深圳柵極場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET有三個(gè)電極：柵極,、漏極和源極。

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal),、氧化物(oxide),、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator),、半導(dǎo)體,。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的,。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）,，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。FET的增益等于它的跨導(dǎo),， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管,。

場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用場(chǎng)景：電路主電源開(kāi)關(guān)，完全切斷,，低功耗省電,。大功率負(fù)載供電開(kāi)關(guān)，如：電機(jī),，太陽(yáng)能電池充電\放電,，電動(dòng)車(chē)電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路；功放,，音響的功率線(xiàn)性放大電路,；數(shù)字電路中用于電平信號(hào)轉(zhuǎn)換；開(kāi)關(guān)電源中,，高頻大功率狀態(tài),；用于LED燈的恒流驅(qū)動(dòng)電路；汽車(chē),、電力,、通信、工業(yè)控制,、家用電器等,。MOS管G,、S,、D區(qū)分以及電流流向,。MOS管G、S,、D表示什么？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極,。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,。N溝道的電源一般接在D,，輸出S,，P溝道的電源一般接在S,，輸出D,。場(chǎng)效應(yīng)管可通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流,，具有較好的線(xiàn)性特性,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開(kāi)啟電壓 UGSTH時(shí)，MOS 不導(dǎo)通,?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小,，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時(shí),，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大,，如果沒(méi)有限流電阻,，將被燒壞,。過(guò)損耗區(qū)：功率較大，需要加強(qiáng)散熱,，注意較大功率,。場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù),。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。場(chǎng)效應(yīng)管的發(fā)展趨勢(shì)是向著高集成度,、低功耗,、高可靠性和多功能化方向發(fā)展。深圳柵極場(chǎng)效應(yīng)管

JFET是一種可用作功率放大器或開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管,。深圳柵極場(chǎng)效應(yīng)管

開(kāi)關(guān)時(shí)間：場(chǎng)效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時(shí)間,。柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間有明顯影響，同時(shí)寄生電容的大小也會(huì)影響開(kāi)關(guān)時(shí)間,，此外,，器件的物理結(jié)構(gòu),，也會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度,。典型應(yīng)用電路：開(kāi)關(guān)電路：開(kāi)關(guān)電路是指用于控制場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)通和關(guān)斷的電路,。放大電路：場(chǎng)效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性,，常用于音頻放大器、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開(kāi)關(guān)電源中,，場(chǎng)效應(yīng)管用于控制能量的存儲(chǔ)和釋放,，實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。深圳柵極場(chǎng)效應(yīng)管