MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài),。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因,。如果N-MOS做開關(guān),，G級電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反,。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤。2.頻率太高,，主要是有時(shí)過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了,，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高,，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于較大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重,，需要足夠的輔助散熱片,。4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。場效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制,，避免損壞器件,。佛山場效應(yīng)管注意事項(xiàng)

場效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí),，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通,，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小,，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓,。NMOS相反。MOS管工作狀態(tài),。MOSFET 不同于三極管,，因?yàn)槟承┬吞柗庋b內(nèi)有并聯(lián)二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D?？梢杂孟卤砼袛喙ぷ鳡顟B(tài)：佛山場效應(yīng)管注意事項(xiàng)JFET是一種可用作功率放大器或開關(guān)的場效應(yīng)管,。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器,、工作臺,、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí),，先焊源極；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí)，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意,。

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面,，channel形成了,，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負(fù)的,，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號，一個(gè)工程師可能說,，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V",， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體,，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電,，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。在設(shè)計(jì)電路時(shí),，合理選擇場效應(yīng)管的型號和工作參數(shù),，以滿足電路要求。

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場效應(yīng)管,。2.場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,，因此,，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適,。3.場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此,，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活,。熟練掌握場效應(yīng)管的使用方法和注意事項(xiàng)，對于電子工程師來說是提升電路設(shè)計(jì)能力和解決實(shí)際問題的重要技能,。廣州增強(qiáng)型場效應(yīng)管行價(jià)

避免將場效應(yīng)管的柵極與其它電極短路,，以免損壞器件。同時(shí),，注意防止靜電對場效應(yīng)管造成損害,。佛山場效應(yīng)管注意事項(xiàng)

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”,。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽螅鶕?jù)漏極-源極間所加VDS的電場,，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷,。佛山場效應(yīng)管注意事項(xiàng)