對于開關頻率小于100kHz的信號一般?。?00～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話,，相對延時太多,，且所需驅動功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關頻率只對較小極電容的MOSFET才可以,。對于1kVA左右開關頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅動電路,。該電路具有以下特點：單電源工作,，控制信號與驅動實現(xiàn)隔離，結構簡單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合,。場效應管的工作原理是通過控制柵極電壓來調節(jié)源極和漏極之間的電流。多晶硅金場效應管參數(shù)

場效應管主要參數(shù)：場效應管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運用時主要關注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up,，（結型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一,、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓。中山小噪音場效應管尺寸場效應管還具有低輸出阻抗,，可以提供較大的輸出電流,。

MOSFET管基本結構與工作原理：mos管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管,，屬于絕緣柵型,。本文就結構構造、特點,、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述,。MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道,、P溝道）,。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極,，相當雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極，相當于的基極,；電極 S（Source）稱為源極,，相當于發(fā)射極。

MOS場效應管,，即金屬-氧化物-半導體型場效應管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導電方式的不同,，MOSFET又分增強型、耗盡型,。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子,，形成導電溝道。耗盡型則是指,，當VGS=0時即形成溝道,，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉向截止。場效應管的體積小,，適合集成在微型電子設備中,。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管，制造非對稱晶體管有很多理由,，但所有的較終結果都是一樣的,，一個引線端被優(yōu)化作為drain，另一個被優(yōu)化作為source,，如果drain和source對調,，這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,，或NMOS,。P-channel MOS管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管,。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置,，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面,。硅的表面就積累,，沒有channel形成。場效應管具有高頻響應特性,，適用于高頻,、高速電路,，如雷達、衛(wèi)星通信等,。中山小噪音場效應管尺寸

場效應管利用輸入電場控制輸出電流,，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點。多晶硅金場效應管參數(shù)

導通電阻（R_DS(on)）：場效應管導通時的漏極與源極之間的電阻,。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗,，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應管能夠承受的較大電流,，超過這個電流值可能會導致器件過熱,、性能退化甚至長久損壞。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應管能夠承受的較大電壓,。超過這個電壓值可能會導致場效應管的擊穿,、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容,。它影響了信號的傳輸速度和開關過程中的電荷存儲。多晶硅金場效應管參數(shù)