場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、漏源擊穿電壓,。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù),，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2,、較大耗散功率,。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。3、較大漏源電流,。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的較大電流,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。場(chǎng)效應(yīng)管作為音頻放大器，具有低失真,、高保真的特點(diǎn),，提升音質(zhì)效果。強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管行價(jià)

如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面,，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)，一個(gè)工程師可能說(shuō),，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V",， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流,。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電,，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管,。嘉興場(chǎng)效應(yīng)管市價(jià)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理基于電場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料中電荷分布的影響，從而改變其導(dǎo)電性能,。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值,。（2）各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性,。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,，等等。（3）MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運(yùn)輸,、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時(shí)較好放在金屬盒內(nèi),，同時(shí)也要注意管的防潮。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過(guò)絕緣層耐壓均會(huì)擊穿，故有兩個(gè)方向“±”,。注③：漏級(jí)較大電流ID與體二極管流過(guò)的反向漏級(jí)較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過(guò)N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。場(chǎng)效應(yīng)管的響應(yīng)速度快,，可以實(shí)現(xiàn)高頻率的信號(hào)處理。

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開啟電壓Vgs（th）,，只不過(guò)這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看,。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ,；Coss = Cds ；Crss = Cgd,；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg,，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時(shí)間t d(on/off),、上升/下降時(shí)間tr / tf,，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請(qǐng)根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷,。MOSFET適用于各種電路中的信號(hào)放大,，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用。強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管行價(jià)

場(chǎng)效應(yīng)管具有體積小,、重量輕的優(yōu)點(diǎn),，便于在緊湊的電子設(shè)備中使用。強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管行價(jià)

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度,、輻射等外界條件很敏感,，因此,，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適,。3.場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的,，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此,，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活,。強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管行價(jià)