MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路,，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因,。基本場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高,、輸入電容低,。上海源極場(chǎng)效應(yīng)管制造

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。肇慶MOS場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管在靜態(tài)工作時(shí)功耗較低,，有利于節(jié)能降耗。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái),；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。（2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達(dá)到30W。（3）多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。

場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一,、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場(chǎng)效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來(lái)就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了,。場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,。場(chǎng)效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導(dǎo)電過(guò)程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng),，類似金屬導(dǎo)電,。場(chǎng)效應(yīng)管具有較高的耐熱性能，適用于高溫環(huán)境,。

在近期的工作中,，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)管，在查找相關(guān)資料時(shí),，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件,，比如mos管、二極管,、三極管,，網(wǎng)上甚至有種說(shuō)法：場(chǎng)效應(yīng)管和mos管就是一種東西。這種說(shuō)法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的,，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件,，本文就給大家詳細(xì)科普一下！場(chǎng)效應(yīng)管,，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,，主要有兩種類型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小,、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。場(chǎng)效應(yīng)管作為音頻放大器，具有低失真,、高保真的特點(diǎn),，提升音質(zhì)效果。肇慶MOS場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性較高,，壽命長(zhǎng),。上海源極場(chǎng)效應(yīng)管制造

電極，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）,、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行,；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候,，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L,，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,，0.2微米則是約30GHz,。上海源極場(chǎng)效應(yīng)管制造