雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱(chēng)為Avalanche diode,，它是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時(shí)間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件,。當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，PN結(jié)被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特定反向偏置電壓下經(jīng)歷雪崩擊穿,，從而阻止電流集中到某一點(diǎn)，通常做為安全閥使用,，用于控制系統(tǒng)壓力和保護(hù)電路系統(tǒng),。雪崩二極管通常在高壓電路中使用，對(duì)安裝的空間要求不高,，因此多數(shù)是插針的封裝形式,，原理圖、PCB封裝和普通二極管相同,。部分特殊用途的二極管,，如肖特基二極管，具有低壓降和快速恢復(fù)的特點(diǎn),。半導(dǎo)體二極管供應(yīng)

由于點(diǎn)接觸型二極管金屬絲很細(xì),，形成的PN結(jié)面積很小，所以極間電容很小,，同時(shí),，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類(lèi)型的管子適于做高頻檢波和脈沖數(shù)字電路里的開(kāi)關(guān)元件,，也可用來(lái)作小電流整流,。如2APl是點(diǎn)接觸型鍺二極管，較大整流電流為16mA,，較高工作頻率為150MHz,。面接觸型二極管，面接觸二極管是利用擴(kuò)散,、多用合金及外延等摻雜方法,，實(shí)現(xiàn)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體直接接觸而形成PN結(jié)的,。面接觸二極管PN結(jié)的接觸面積大，可以通過(guò)較大的電流,，適用于大電流整流電路或在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管,。因其結(jié)電容相對(duì)較大，故只能在較低的頻率下工作,，在集成電路中可作電容用,。如2CPl為面接觸型硅二極管，較大整流電流為40OmA,，較高工作頻率只有3kHz。整流二極管作用二極管的反向電壓應(yīng)小于其擊穿電壓,，以防止擊穿現(xiàn)象的發(fā)生,。

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小,，且基本不隨反向電壓的變化而變化,，此時(shí)的反向電流也稱(chēng)反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí),，反向電流急劇增加,，VBR稱(chēng)為反向擊穿電壓。在反向區(qū),，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同,。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,，反向飽和電流也很?。绘N二極管的反向擊穿特性比較軟,，過(guò)渡比較圓滑,，反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看,，硅二極管若|VBR|≥7 V時(shí),，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿,，當(dāng)在4 V～7 V之間兩種擊穿都有,，有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)。

PIN二極管,，PIN二極管英文名稱(chēng)為Pin diode,，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造出來(lái)的一種晶體二極管,。PIN中的I是"本征"意義的英文略語(yǔ),。當(dāng)其工作頻率超過(guò)100MHz時(shí),，由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和"本征"層中的渡越時(shí)間效應(yīng)，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件,，并且,，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時(shí),，"本征"區(qū)的阻抗很高,；在直流正向偏置時(shí)，由于載流子注入"本征"區(qū),，而使"本征"區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài),。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用,。它常被應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)（即微波開(kāi)關(guān)）,、移相、調(diào)制,、限幅等電路中,。硅二極管和砷化鎵二極管是常見(jiàn)類(lèi)型。

二極管的正向特性,，當(dāng)外加正向電壓時(shí),，隨著電壓U的逐漸增加，電流I也增加,。但在開(kāi)始的一段,，由于外加電壓很低。外電場(chǎng)不能克服PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng),，半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子不能順利通過(guò)阻擋層,，所以這時(shí)的正向電流極小（該段所對(duì)應(yīng)的電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓,，硅管的死區(qū)電壓約為0～0.5伏,，鍺管的死區(qū)電壓約為0～0.2伏）。當(dāng)外加電壓超過(guò)死區(qū)電壓以后,，外電場(chǎng)強(qiáng)于PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng),，多數(shù)載流子大量通過(guò)阻擋層，使正向電流隨電壓很快增長(zhǎng),。即：當(dāng)V＞0,，二極管處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：當(dāng)0＜V＜Vth時(shí),，正向電流為零,，Vth稱(chēng)為死區(qū)電壓或開(kāi)啟電壓。當(dāng)V＞Vth時(shí),，開(kāi)始出現(xiàn)正向電流,，并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng),。二極管作為電子元器件的重要一員，其發(fā)展和應(yīng)用推動(dòng)了電子技術(shù)的進(jìn)步,。半導(dǎo)體二極管供應(yīng)

二極管可用于電池充電和放電保護(hù),，防止過(guò)充和過(guò)放。半導(dǎo)體二極管供應(yīng)

發(fā)光二極管,，施加正向偏置,，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類(lèi)與特性又有紅外線(xiàn)二極管,、各種顏色的可見(jiàn)光二極管,、紫外線(xiàn)二極管等。激光二極管,，當(dāng)LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光（Coherent Light）時(shí),，則稱(chēng)為激光二極管。光電二極管,，光線(xiàn)射入PN結(jié)，P區(qū)空穴,、N區(qū)電子大量發(fā)生,，產(chǎn)生電壓（光電效應(yīng)）。借由測(cè)量此電壓或電流,，可作為光感應(yīng)器使用,。有PN、PIN,、肖特基,、APD等類(lèi)型。太陽(yáng)電池也是利用此種效應(yīng),。隧道二極管（Tunnel Diode）,、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管,，由日本人江崎玲于奈于1957年發(fā)明,。是利用量子穿隧效應(yīng)的作用，會(huì)出現(xiàn)在一定偏置范圍內(nèi)正向電壓增加時(shí)流通的電流量反而減少的“負(fù)電阻”的現(xiàn)象,。這是較能耐受核輻射的半導(dǎo)體二極管,。半導(dǎo)體二極管供應(yīng)