LED 燈具的驅(qū)動。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管,，對LED恒流驅(qū)動而言,，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,，它的柵極電容比較大,，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通。因此,，設(shè)計時必須注意柵極驅(qū)動器負載能力必須足夠大,，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系,。使用者雖然無法降低Cin的值,，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值，從而減小柵極回路 的充放電時間常數(shù),，加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里,，我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動恒流IC。避免將場效應(yīng)管的柵極與其它電極短路,，以免損壞器件,。同時，注意防止靜電對場效應(yīng)管造成損害,。耗盡型場效應(yīng)管尺寸

雙柵極場效應(yīng)管擁有兩個獨特的柵極,，這一創(chuàng)新設(shè)計極大地拓展了其功能邊界，使其如同擁有兩個控制開關(guān)的精密儀器,。兩個柵極可分別承擔不同的控制任務(wù),，例如一個柵極專注于信號輸入，如同信息的入口,；另一個柵極負責增益控制,，能夠根據(jù)信號強度靈活調(diào)整放大倍數(shù)。在電視調(diào)諧器中,，復(fù)雜的電磁環(huán)境中存在著眾多干擾信號,，雙柵極場效應(yīng)管通過一個柵極精細選擇特定頻道的信號，同時利用另一個柵極有效抑制干擾信號,，并根據(jù)接收到的信號強度實時,、靈活地調(diào)整增益。這樣一來,，電視畫面始終保持清晰、穩(wěn)定,，無論是觀看高清的體育賽事直播,，還是欣賞精彩的電影大片，都能為用戶帶來優(yōu)良的視聽體驗,。在廣播電視,、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域，它同樣發(fā)揮著重要作用,，保障信號的穩(wěn)定傳輸與接收,。耗盡型場效應(yīng)管尺寸MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié),，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件。

場效應(yīng)管與雙極型晶體管比,，它的體積小,，重量輕，壽命長等優(yōu)點,，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因為幾乎只利用多子導(dǎo)電）,、防輻射能力強以及省電等優(yōu)點,，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場。有利就有弊,，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子,。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識：名稱，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應(yīng)管,。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管,，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。

場效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說,，ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大,，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場,，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷,。場效應(yīng)管具有體積小、重量輕的優(yōu)點,，便于在緊湊的電子設(shè)備中使用,。

內(nèi)置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān),，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線,，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。場效應(yīng)管可用于開關(guān)電路,，實現(xiàn)電路的通斷控制,，如電子開關(guān)、繼電器驅(qū)動等,。東莞MOS場效應(yīng)管供應(yīng)

場效應(yīng)管在電子器件中的功率管理,、信號放大等方面有重要作用。耗盡型場效應(yīng)管尺寸

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電,、短路,、斷路、放大,。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象,。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開,，萬用表紅黑筆不變,，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電,，不變則完好,。2,、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回無限大,，則MOS完好,。3、把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上,，好的表針指示應(yīng)該是無限大。4,、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上,，這時表針指示的值一般是0,，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場,，因為電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,，故萬用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大,，放電性越好,。耗盡型場效應(yīng)管尺寸