MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動電路的時(shí)候要麻煩一些,，但沒有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管,。這個(gè)叫體二極管,，在驅(qū)動感性負(fù)載（如馬達(dá)）,，這個(gè)二極管很重要,?？梢栽贛OS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句,，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的,。場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓，可實(shí)現(xiàn)精確控制,。東莞功耗低場效應(yīng)管行價(jià)

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測試儀器,、工作臺,、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí)，先焊源極,；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí),，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意,。深圳場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家在放大電路中,，場效應(yīng)管可以起到線性放大的作用,，輸出的信號與輸入信號成正比,。

LED 燈具的驅(qū)動,。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管,，對LED恒流驅(qū)動而言,，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,，它的柵極電容比較大,，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電,，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通,。因此，設(shè)計(jì)時(shí)必須注意柵極驅(qū)動器負(fù)載能力必須足夠大,，以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電,。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系,。使用者雖然無法降低Cin的值，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值,，從而減小柵極回路 的充放電時(shí)間常數(shù),，加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里，我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動恒流IC,。

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關(guān),。6.在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大,。柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作,，電子管只能在負(fù)偏壓下工作,。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負(fù)載,，易于跟前級匹配,。MOSFET適用于各種電路中的信號放大，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用,。

場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor,，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀,，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性。場效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱為“單極性晶體管”,，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管,。由于半導(dǎo)體材料的限制,，以及雙極性晶體管比場效應(yīng)晶體管容易制造，場效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出,，但場效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早,。MOS管的寄生二極管，由于生產(chǎn)工藝,，MOS 管會有寄生二極管,，或稱體二極管。這是mos管與三極管較大的一個(gè)區(qū)別,。場效應(yīng)管利用電場控制載流子的流動,，通過改變柵極電壓，控制源極和漏極之間的電流,。深圳場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié),，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件,。東莞功耗低場效應(yīng)管行價(jià)

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開啟電壓Vgs（th）,，只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異,，不知道的回去前面重新看,。動態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ,；Crss = Cgd,；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量,！注③：接通/斷開延遲時(shí)間t d(on/off),、上升/下降時(shí)間tr / tf,，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請根據(jù)實(shí)際漏級電路ID,，柵極驅(qū)動電壓Vg進(jìn)行判斷。東莞功耗低場效應(yīng)管行價(jià)