MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時,，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS,。場效應(yīng)管利用輸入電場控制輸出電流，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點,。中山單極型場效應(yīng)管制造

在要求輸入阻抗較高的場合使用時,，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應(yīng)管的輸入電阻降低,。如果用四引線的場效應(yīng)管,，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,，應(yīng)注意避光使用,。對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件,。因為功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運用,，必須設(shè)計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值,，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作,。總之,，確保場效應(yīng)管安全使用,，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者,，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā),，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應(yīng)管,。佛山小噪音場效應(yīng)管廠家場效應(yīng)管在無線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用,，如射頻放大器、混頻器,、振蕩器等,，提高通信質(zhì)量。

開關(guān)時間：場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時間,。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計對開關(guān)時間有明顯影響,，同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間，此外,，器件的物理結(jié)構(gòu),，也會影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路,。放大電路：場效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性,，常用于音頻放大器,、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開關(guān)電源中,，場效應(yīng)管用于控制能量的存儲和釋放,，實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。

場效應(yīng)管與雙極型晶體管比,，它的體積小,，重量輕，壽命長等優(yōu)點,，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因為幾乎只利用多子導(dǎo)電）,、防輻射能力強以及省電等優(yōu)點,，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場。有利就有弊,，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子,。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識：名稱，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應(yīng)管,。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,。場效應(yīng)管有三種類型，分別是MOSFET,、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。

場效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時,，MOS 不導(dǎo)通,。可變電阻區(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時,，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大，如果沒有限流電阻,，將被燒壞,。過損耗區(qū)：功率較大，需要加強散熱,，注意較大功率,。場效應(yīng)管主要參數(shù)。場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,?；緢鲂?yīng)管的特點包括輸入電阻高、輸入電容低,。佛山小噪音場效應(yīng)管廠家

場效應(yīng)管的開關(guān)速度快,，適用于需要快速響應(yīng)的電路系統(tǒng)中。中山單極型場效應(yīng)管制造

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關(guān),。6.在電路設(shè)計上的靈活性大,。柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作,。另外輸入阻抗高,，可以減輕信號源負(fù)載，易于跟前級匹配,。中山單極型場效應(yīng)管制造