在二極管加上正向電壓（P端接正極,，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理,，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí),，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng),，其PN結(jié)沒有電流通過,，二極管截止。在柵極沒有電壓時(shí),，由前面分析可知,，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過，此時(shí)場效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）,。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時(shí),，由于電場的作用，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋,，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中，從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通,。可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁,，該橋的大小由柵壓的大小決定。場效應(yīng)管具有輸入阻抗高,、輸出阻抗低,、線性度好、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),，使其在各種電路中表現(xiàn)出色,。VMOS場效應(yīng)管定制

現(xiàn)在的高清、液晶,、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率,、可靠較大程度上提高,，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu),、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜,。所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端,，分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。VMOS場效應(yīng)管定制場效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn)，使得其性能更加穩(wěn)定,，可靠性更高,。

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一,、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,，場效應(yīng)管性能不斷提升，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,。

場效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”,。更正確地說,，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng),。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷,。場效應(yīng)管可用于開關(guān)電路,，實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制，如電子開關(guān),、繼電器驅(qū)動(dòng)等,。湖州場效應(yīng)管行價(jià)

選擇場效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)考慮其耐壓,、耐流等參數(shù),，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。VMOS場效應(yīng)管定制

在過渡層由于沒有電子,、空穴的自由移動(dòng),，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng),。但是此時(shí)漏極-源極間的電場,，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象,。其次,，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off),，此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場,，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通。VMOS場效應(yīng)管定制