場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管,。FET 英文為Field Effect Transistor,，簡(jiǎn)寫成FET,。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類,。場(chǎng)效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制,。肇慶單極型場(chǎng)效應(yīng)管

現(xiàn)在的高清,、液晶、等離子電視機(jī)中開(kāi)關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,，在元器件上的開(kāi)關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過(guò)去的大功率晶體三極管,，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高,，故障率大幅的下降,。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,，所以在應(yīng)用上,，它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。珠海源極場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管在靜態(tài)工作時(shí)功耗較低,，有利于節(jié)能降耗。

SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn),，SOA失效,，SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式,?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式,。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片,。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON。3：受限于器件較大的耗散功率,。4：受限于較大單個(gè)脈沖電流,。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)。我們電源上的MOSFET,，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi),，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問(wèn)題的產(chǎn)生。這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖,，由于去過(guò)鋁,，可能看起來(lái)不那么直接，參考下,。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,，它們是：柵極；漏極,；源極,。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù),，則溝道變寬,，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說(shuō),，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。場(chǎng)效應(yīng)管具有低噪聲,、低功耗的特點(diǎn),，適用于需要高靈敏度和低功耗的電子設(shè)備中。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。場(chǎng)效應(yīng)管雖然體積小,，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視。珠海漏極場(chǎng)效應(yīng)管制造商

場(chǎng)效應(yīng)管的特性可以通過(guò)外部電路的調(diào)整來(lái)滿足不同的應(yīng)用需求,。肇慶單極型場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來(lái)控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比,，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電,，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道,，分為N溝道JFET和P溝道JFET,。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）：分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時(shí),，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,，即使沒(méi)有外加電壓，也會(huì)有漏極電流（ID）,。這是因?yàn)樵谥圃爝^(guò)程中,，通過(guò)摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷,，形成導(dǎo)電溝道,。增強(qiáng)型MOS管：在VGS為零時(shí)是關(guān)閉狀態(tài)，不導(dǎo)電,。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時(shí),，才會(huì)在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子，形成導(dǎo)電溝道,。肇慶單極型場(chǎng)效應(yīng)管