場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低,，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流,。東莞絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成,。在JFET中,，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動(dòng),。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場(chǎng)效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過Vth時(shí),，通道形成,，電流開始流動(dòng)。東莞絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓對(duì)其導(dǎo)電性能有明顯影響,，通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的輸出,。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱MOS管，制造非對(duì)稱晶體管有很多理由,，但所有的較終結(jié)果都是一樣的,，一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain，另一個(gè)被優(yōu)化作為source,，如果drain和source對(duì)調(diào),，這個(gè)器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,，或NMOS,。P-channel MOS管也存在，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管,。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置,，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面,。硅的表面就積累,，沒有channel形成。

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話,，相對(duì)延時(shí)太多，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以。對(duì)于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路,。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ鳎刂菩盘?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合。JFET是一種可用作功率放大器或開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管,。

場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。(3)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用。電氣特性：場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場(chǎng)效應(yīng)管：1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低,。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小,。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3：場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定,。也就是說，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,，晶體管的放大能力用β衡量,。4：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極??；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大,。5：一般場(chǎng)效應(yīng)管功率較小,，晶體管功率較大。場(chǎng)效應(yīng)管的功耗較低,，可以節(jié)省能源,。銅陵金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

MOSFET適用于各種電路中的信號(hào)放大，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用,。東莞絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路,，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種,。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型,。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制,，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因,。東莞絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格