如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面，channel形成了,，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的,，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào),，一個(gè)工程師可能說(shuō)，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V",， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V,。場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,，所以FET管的GATE電流非常小,。較普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）,。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管,。MOSFET有三個(gè)電極：柵極,、漏極和源極。東莞小噪音場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

在近期的工作中,，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)管,，在查找相關(guān)資料時(shí)，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件,，比如mos管,、二極管、三極管,，網(wǎng)上甚至有種說(shuō)法：場(chǎng)效應(yīng)管和mos管就是一種東西,。這種說(shuō)法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件，本文就給大家詳細(xì)科普一下,！場(chǎng)效應(yīng)管,，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，主要有兩種類(lèi)型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)在開(kāi)關(guān)電路中,，場(chǎng)效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中,。

計(jì)算導(dǎo)通損耗,。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化,。對(duì)便攜 式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，采用較低的電壓比較容易(較為普遍),，而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì),，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升,。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到,。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,，即較壞情況和真實(shí)情況,。建議采用針對(duì)較壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效,。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,，以及較大的結(jié)溫,。開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大,。一定程度上決定了器件的開(kāi)關(guān)性能,。不過(guò)，如果系統(tǒng)對(duì)開(kāi)關(guān)性能要求比較高,，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET,。

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開(kāi)啟電壓Vgs（th），只不過(guò)這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異,，不知道的回去前面重新看。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ,；Coss = Cds ,；Crss = Cgd,；注②：MOS管開(kāi)啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg,，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開(kāi)延遲時(shí)間t d(on/off),、上升/下降時(shí)間tr / tf,，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請(qǐng)根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷,。熟練掌握?qǐng)鲂?yīng)管的使用方法和注意事項(xiàng),，對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)是提升電路設(shè)計(jì)能力和解決實(shí)際問(wèn)題的重要技能。

結(jié)型場(chǎng)管腳識(shí)別,，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正,、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正,、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換）,，余下的一個(gè)管腳即為柵極G,。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）,。判定柵極,，用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極,。若兩次測(cè)出的阻值都很大,，說(shuō)明均是反向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞。場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點(diǎn)和電源電壓,，以及連接正確的外部電路,。珠海雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管尺寸

場(chǎng)效應(yīng)管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小,、開(kāi)關(guān)速度快和功耗低,。東莞小噪音場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一,、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。東莞小噪音場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)