MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài),。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因,。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反,。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤。2.頻率太高,，主要是有時(shí)過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了,，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高,，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于較大電流,，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤,，對(duì)功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大,。場效應(yīng)管在電子器件中的功率管理,、信號(hào)放大等方面有重要作用?；葜莨牡蛨鲂?yīng)管廠商

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開啟電壓Vgs（th）,，只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異,，不知道的回去前面重新看,。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ,；Crss = Cgd,；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量,！注③：接通/斷開延遲時(shí)間t d(on/off),、上升/下降時(shí)間tr / tf，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請(qǐng)根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID,，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷,。珠海VMOS場效應(yīng)管尺寸JFET具有電路簡單、工作穩(wěn)定的特點(diǎn),，適合于低頻放大器設(shè)計(jì),。

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí),，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí),，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應(yīng)管相似。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率,，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值,。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時(shí),，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性,。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,，等等,。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸,、貯藏中必須將引出腳短路,，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿,。尤其要注意,，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)較好放在金屬盒內(nèi),，同時(shí)也要注意管的防潮,。場效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn)，使得其性能更加穩(wěn)定,，可靠性更高,。

當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通,，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài),。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件,，PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓,。NMOS相反。MOS管工作狀態(tài),，MOSFET 不同于三極管,，因?yàn)槟承┬吞?hào)封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管,，所以其 D 和 S 極是不能反接的，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D,。場效應(yīng)管的優(yōu)勢之一是具有高輸入阻抗，可以減少對(duì)輸入信號(hào)源的負(fù)載,。珠海VMOS場效應(yīng)管尺寸

使用場效應(yīng)管時(shí)需要注意靜電放電問題，避免對(duì)器件造成損壞,?；葜莨牡蛨鲂?yīng)管廠商

雙柵極場效應(yīng)管在衛(wèi)星通信中的功能：衛(wèi)星通信面臨著復(fù)雜的電磁環(huán)境，雙柵極場效應(yīng)管肩負(fù)著重要的職責(zé),。衛(wèi)星與地面站通信時(shí),，不僅要接收來自遙遠(yuǎn)衛(wèi)星的微弱信號(hào)，還要應(yīng)對(duì)宇宙射線,、電離層干擾等諸多挑戰(zhàn),。雙柵極場效應(yīng)管的雙柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)精妙，一個(gè)柵極專門用于接收微弱的衛(wèi)星信號(hào),，如同敏銳的耳朵,，不放過任何一絲信息；另一個(gè)柵極則根據(jù)干擾情況動(dòng)態(tài)調(diào)整增益,，抑制干擾信號(hào),，增強(qiáng)有用信號(hào)強(qiáng)度。在衛(wèi)星電視信號(hào)傳輸中,，雙柵極場效應(yīng)管確保信號(hào)清晰,，讓用戶能夠收看到高清、流暢的電視節(jié)目,；在衛(wèi)星電話通話中,，保障通話質(zhì)量，使遠(yuǎn)在太空的宇航員與地面指揮中心能夠順暢溝通,。它為全球通信網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力支撐,，讓信息能夠跨越浩瀚的宇宙，實(shí)現(xiàn)無縫傳遞,?；葜莨牡蛨鲂?yīng)管廠商