判斷源極S、漏極D,，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻,。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極,。因為測試前提不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個PN結,，因此根據(jù)PN結正、反向電阻存在差異,，可識別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）,。場效應管在電子設備中扮演著關鍵角色。廣州強抗輻場效應管

下面對MOS失效的原因總結以下六點,，然后對1,，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效,。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式,、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中,，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中,，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效,。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰,，而導致柵極柵氧層失效。東莞耗盡型場效應管加工場效應管的靈敏度較高,，可以實現(xiàn)精確的電流控制,。

場效應管與雙極型晶體管比，它的體積小,，重量輕,，壽命長等優(yōu)點,，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高，噪聲低,、熱穩(wěn)定性好（因為幾乎只利用多子導電）,、防輻射能力強以及省電等優(yōu)點，幾乎場效應管占據(jù)的絕大部分市場,。有利就有弊,，而場效應管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）。根據(jù)制作主要工藝主要分為結型場效應管(Junction Field Effect Transistor,，JFET)和絕緣柵型場效應管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子。場效應管(FET)基礎知識：名稱,，場效應晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應管。結型場效應管（junction FET-JFET),，金屬 - 氧化物半導體場效應管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET），由多數(shù)載流子參與導電,，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導體器件。與之對應的是由兩種載流子參與導電的雙極型晶體管,，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導體器件。

場效應晶體管：截止區(qū)：當 UGS 小于開啟電壓 UGSTH時,，MOS 不導通,。可變電阻區(qū)：UDS 很小,，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小,。擊穿區(qū)：UDS 達到一定值時，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大,，如果沒有限流電阻，將被燒壞,。過損耗區(qū)：功率較大,，需要加強散熱，注意較大功率,。場效應管主要參數(shù),。場效應管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運用時主要關注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。JFET常用于低頻放大電路、高輸入阻抗的場合,。

MOSFET管基本結構與工作原理：mos管學名是場效應管,，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型,。本文就結構構造,、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述,。MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道,、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）,。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖,。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極,，相當于的基極；電極 S（Source）稱為源極,，相當于發(fā)射極,。場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動，具有與電阻不同的工作方式,。廣州場效應管批發(fā)價格

場效應管是一種半導體器件,，用于放大或開關電路中的信號。廣州強抗輻場效應管

場效應管主要參數(shù)：一,、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。三,、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛導通時的柵極電壓,。四、跨導,?？鐚m是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數(shù),。廣州強抗輻場效應管