場效應(yīng)管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流,。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電，因此也被稱為單極型晶體管,。分類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET,。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）：分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時,，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,，即使沒有外加電壓，也會有漏極電流（ID）,。這是因?yàn)樵谥圃爝^程中,，通過摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷,，形成導(dǎo)電溝道,。增強(qiáng)型MOS管：在VGS為零時是關(guān)閉狀態(tài)，不導(dǎo)電,。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時,，才會在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子，形成導(dǎo)電溝道,。場效應(yīng)管作為音頻放大器,，具有低失真、高保真的特點(diǎn),，提升音質(zhì)效果,。東莞強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管

場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用,。電氣特性：場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場效應(yīng)管：1：場效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小,。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說,，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,，晶體管的放大能力用β衡量。4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大,，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小,，在導(dǎo)電時輸入電流較大,。5：一般場效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大,。杭州絕緣柵場效應(yīng)管JFET是一種可用作功率放大器或開關(guān)的場效應(yīng)管,。

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面,，channel形成了,，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負(fù)的,，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號，一個工程師可能說,，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V",， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實(shí)上沒有電流流過這個絕緣體,，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電,，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管,。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時,，由于它的輸入電阻非常高,，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞,。（2）焊接時,，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時,，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接。（3）用25W電烙鐵焊接時應(yīng)迅速,，若用45～75W電烙鐵焊接，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱,。結(jié)型場效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值）,，而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀,，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線,。取下時，則應(yīng)先短路再取下,，關(guān)鍵在于避免柵極懸空,。場效應(yīng)管可用于開關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制,，如電子開關(guān),、繼電器驅(qū)動等。

組成,，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),，或者溝道。大部分的不常見體材料,，主要有非晶硅,、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機(jī)場效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體,。有機(jī)場效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半導(dǎo)體,，常常用有機(jī)柵絕緣體和電極,。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管,、晶體三極管,，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān),。場效應(yīng)管的響應(yīng)速度快，可以實(shí)現(xiàn)高頻率的信號處理,。東莞強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管

場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用,，如電機(jī)驅(qū)動、電源管理等,。東莞強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài),。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因,。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高,，主要是有時過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了,，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高,，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于較大電流,，也可能發(fā)熱嚴(yán)重,，需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤,，對功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。東莞強(qiáng)抗輻場效應(yīng)管