場效應(yīng)管注意事項：（1）在安裝場效應(yīng)管時,，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時,，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達(dá)到30W,。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個,，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。在選擇場效應(yīng)管時,，要考慮其成本效益,，根據(jù)實際需求選擇合適的性價比產(chǎn)品,。珠海MOS場效應(yīng)管定制價格

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。珠海MOS場效應(yīng)管定制價格確保場效應(yīng)管的散熱問題，提高其穩(wěn)定性和可靠性,。

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們再考慮了,，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式,，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時,，不能形成導(dǎo)電溝道,，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)vGS≥VT時,，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生。vDS對iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時,，漏——源電壓vDS對導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應(yīng)管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流,。

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,，因信號頻率相對載波頻率太高的話,，相對延時太多，且所需驅(qū)動功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,，它是一種良好的驅(qū)動電路,。該電路具有以下特點：單電源工作，控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。場效應(yīng)管的可靠性較高,，壽命長,。珠海MOS場效應(yīng)管定制價格

場效應(yīng)管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓，適用于高壓電路,。珠海MOS場效應(yīng)管定制價格

MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路,，MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種,。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型,。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因,。珠海MOS場效應(yīng)管定制價格