場效應管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流,。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導電,，因此也被稱為單極型晶體管,。分類：結(jié)型場效應管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET,。絕緣柵型場效應管（MOS管）：分為增強型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時,，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導電溝道,，即使沒有外加電壓,，也會有漏極電流（ID）,。這是因為在制造過程中，通過摻雜在絕緣層中引入正離子,，使得在半導體表面感應出負電荷,，形成導電溝道。增強型MOS管：在VGS為零時是關(guān)閉狀態(tài),，不導電,。只有當施加適當?shù)恼驏艠O電壓時，才會在半導體表面感應出足夠的多數(shù)載流子,，形成導電溝道,。場效應管有多種類型，如JFET,、MOSFET等,，滿足不同應用需求。中山MOS場效應管制造

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇,，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放,，此時阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放,，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管,。當瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應用中也會在這個二極管上串一個小電阻),，但是由于二極管的反向電流不導通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候,，就可以參考前文所指出的方法,。MOSFET的應用領(lǐng)域非常普遍，遠非一兩篇文章可以概括。柵極場效應管加工場效應管的開關(guān)速度快,，適用于需要快速響應的電路系統(tǒng)中,。

場效應管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。三,、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛導通時的柵極電壓,。四、跨導,?？鐚m是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場效應管放大才能的重要參數(shù),。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免,，后邊再詳細介紹,。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管,。這個叫體二極管,，在驅(qū)動感性負載（如馬達），這個二極管很重要,?？梢栽贛OS管關(guān)斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句,，體二極管只在單個的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。場效應管在數(shù)字電子電路中的應用日益普遍,，可以用于高速通訊,、計算機處理和控制系統(tǒng)中,。

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal),、氧化物(oxide),、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator),、半導體,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認為是對稱的,。場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。FET的增益等于它的跨導,， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見的為低壓mos管,。場效應管的表示特性是輸入電阻高,、輸入電容小、開關(guān)速度快和功耗低,。中山MOS場效應管制造

在安裝場效應管時,，要確保其散熱良好，避免過熱導致性能下降或損壞,。中山MOS場效應管制造

強抗輻場效應管是專門為應對惡劣輻射環(huán)境而精心設計的,。在航空航天領(lǐng)域，衛(wèi)星在浩瀚的太空中運行,，時刻受到宇宙射線的強烈輻射,；在核工業(yè)環(huán)境里，電子設備也面臨著強度高的輻射威脅,。普通場效應管在這樣的輻射下,，如同脆弱的花朵，極易受到損傷,，導致性能急劇下降甚至完全失效,。而強抗輻場效應管采用了特殊的材料與結(jié)構(gòu)，選用耐輻射性能優(yōu)良的半導體材料,，同時對柵極絕緣層進行優(yōu)化設計,，增強其抵御輻射的能力,。以衛(wèi)星為例，星載電子設備中的強抗輻場效應管,，如同堅固的盾牌,，能夠有效抵抗輻射粒子的猛烈轟擊，確保衛(wèi)星通信系統(tǒng)準確無誤地傳輸數(shù)據(jù),，姿態(tài)控制等系統(tǒng)穩(wěn)定運行,，保障太空探索與衛(wèi)星應用任務的順利進行，為人類探索宇宙,、開發(fā)太空資源提供堅實的技術(shù)保障,。中山MOS場效應管制造