大連低溫光刻膠感光膠

來源：發(fā)布時間：2025-04-26

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板,、負性,、正性、納米壓印及光刻膠等類別,，以滿足不同領(lǐng)域的需求,。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿,，耐高溫達 250°C,，長期可靠性高，粘接強度高,，重量 100g,。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導(dǎo)體器件制造,。

其他光刻膠

水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠,，具有工廠研發(fā)、可定制,、使用,、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點,，重量 1L,。
水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L,，具備上述通用優(yōu)勢,，應(yīng)用場景。

吉田半導(dǎo)體強化研發(fā),，布局下一代光刻技術(shù),。大連低溫光刻膠感光膠

技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體先進制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個），開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料,；

? 極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高,，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度,。

環(huán)保與低成本：

? 水性負性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠）,，減少VOC排放；

? 單層膠工藝替代多層膠,，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）,。

新興領(lǐng)域拓展：

? 柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠,，用于可穿戴設(shè)備電路,；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo),，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。

典型產(chǎn)品與廠商

? 半導(dǎo)體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm,，用于12nm制程）,；

? 美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2，缺陷密度＜5個/cm2）,。

? PCB負性膠：

? 中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻,，厚度20-50μm，國產(chǎn)化率超60%,；

? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%,，適用于高可靠性汽車板。

? MEMS厚膠：

? 美國陶氏的SU-8：實驗室常用,，厚度5-200μm,，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；

? 德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻,，線寬精度±2%,，用于工業(yè)級MEMS制造。

浙江LCD光刻膠報價吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造環(huán)保光刻膠,。

吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：

芯片制造：YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國際,、長江存儲，支持國產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn),。
顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴,。
新能源領(lǐng)域：無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,，批量應(yīng)用于寧德時代儲能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸,。

研發(fā)投入：年研發(fā)費用占比超 15%,，承擔國家 02 專項課題，獲 “國家技術(shù)發(fā)明二等獎”,。
產(chǎn)能規(guī)模：光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸,，納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%,。
質(zhì)量體系：通過 ISO9001,、IATF 16949 等認證,，生產(chǎn)過程執(zhí)行 8S 管理，批次穩(wěn)定性達 99.5%,。

吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā)，加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破,，目標在 2027 年前實現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn),。同時,，深化國產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同，構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈,，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻 “吉田力量”,。

從突破國際壟斷到行業(yè)標準，吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎,，走出了一條中國半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路,。未來，公司將以更具競爭力的產(chǎn)品與技術(shù),，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺階,。

技術(shù)驗證周期長

半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測試）,、STR（小試）,、MSTR（批量驗證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,，預(yù)計2025年才能進入穩(wěn)定供貨階段,。

原材料依賴仍存

樹脂和光酸仍依賴進口，如KrF光刻膠樹脂的單體國產(chǎn)化率不足10%,。國內(nèi)企業(yè)需在“吸附—重結(jié)晶—過濾—干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破,。

未來技術(shù)路線

? 金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性,，清華大學(xué)團隊已實現(xiàn)5nm線寬的原型驗證,。

? 電子束光刻膠：中科院微電子所開發(fā)的聚酰亞胺基電子束光刻膠，分辨率達1nm,，適用于量子芯片制造,。

? AI驅(qū)動材料設(shè)計：華為與中科院合作，利用機器學(xué)習(xí)優(yōu)化光刻膠配方,，研發(fā)周期縮短50%,。

光刻膠技術(shù)突破加速，對芯片制造行業(yè)有哪些影響,？

晶圓制造（前道工藝）

? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形,，是光刻工藝的主要材料。

? 細分場景：

? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）,、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm）,，以及極紫外（EUV）光刻膠（目標7nm以下，研發(fā)中）,。

? 功率半導(dǎo)體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm）,，滿足深溝槽刻蝕需求。

? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實現(xiàn)微米級結(jié)構(gòu)（如加速度計,、陀螺儀的懸臂梁）,。

芯片封裝（后道工藝）

? 先進封裝技術(shù)：

? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL）,，線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中,，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）,。

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全品類覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD 光刻膠,、厚膜光刻膠及水性光刻膠等，覆蓋芯片制造,、顯示面板,、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求，技術(shù)布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商,。
關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù)：JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃,，支持納米級精度圖案復(fù)制，適用于第三代半導(dǎo)體（GaN/SiC）及 Mini LED 等新興領(lǐng)域,，技術(shù)指標接近國際先進水平,。
水性環(huán)保配方：JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機溶劑，低 VOC 排放,，符合 RoHS 和 REACH 標準,，環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
厚膜工藝能力：JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控（達數(shù)十微米）,，滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求,。

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廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思,，創(chuàng)經(jīng)濟奇跡,，一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍圖,，在廣東省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的信譽,，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念,，市場是企業(yè)的方向,，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,，全體上下,，團結(jié)一致，共同進退,，**協(xié)力把各方面工作做得更好,，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度,，未來吉田半導(dǎo)體供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來,，即使現(xiàn)在有一點小小的成績，也不足以驕傲,，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗,，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點燃新的希望,，放飛新的夢想,！

標簽：光刻膠

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