光刻膠系列：
厚板光刻膠 JT - 3001，具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,，符合歐盟 ROHS 標準，保質(zhì)期 1 年,；
水油光刻膠 SR - 3308，容量 5L,；SU - 3 負性光刻膠，分辨率優(yōu)異,，對比度良好,，曝光靈敏度高，光源適應(yīng),，重量 100g,；
液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000,，有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格，分辨率高,，準確性和穩(wěn)定性好,；
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠，耐強酸強堿,，耐高溫達 250°C,，長期可靠性高，粘接強度高,，重量 100g,；
LCD 正性光刻膠 YK - 200，具有較大曝光,、高分辨率,、良好涂布和附著力，重量 100g,；
半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300,，具備耐熱耐酸、耐溶劑性,、絕緣阻抗和緊密性,，重量 100g；
耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100,，重量 1L,。
半導(dǎo)體芯片制造，用于精細電路圖案光刻,，決定芯片性能與集成度,。廈門光刻膠生產(chǎn)廠家
吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國產(chǎn)替代再迎新進展
自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗證,，吉田半導(dǎo)體填補國內(nèi)光刻膠空白,。
吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達 90nm,，適用于 14nm 及以上制程,，已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。該產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與自主配方,，突破日本企業(yè)對 ArF 光刻膠的壟斷,。其光酸產(chǎn)率提升 30%，蝕刻選擇比達 4:1,，性能對標日本信越的 ArF 系列,。吉田半導(dǎo)體的技術(shù)突破加速了國產(chǎn)芯片制造材料自主化進程，為國內(nèi)晶圓廠提供高性價比解決方案,。
河南納米壓印光刻膠工廠吉田質(zhì)量管控與認證壁壘,。
吉田半導(dǎo)體 JT-3001 厚板光刻膠：歐盟 RoHS 認證,，PCB 電路板制造
憑借抗深蝕刻性能與環(huán)保特性，吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業(yè)材料,。
吉田半導(dǎo)體推出的 JT-3001 厚板光刻膠,，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,，適用于高密度電路板制造,。產(chǎn)品通過歐盟 RoHS 認證，采用無鹵無鉛配方,，符合環(huán)保要求,。其優(yōu)異的感光度與留膜率,，確保復(fù)雜線路圖形的成型，已應(yīng)用于華為 5G 基站主板量產(chǎn),。公司提供從材料選型到工藝優(yōu)化的全流程支持，助力客戶提升生產(chǎn)效率與良率,。
光刻膠的工作原理：
1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻璃,、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠,，通過掩膜（或直接電子束掃描）對特定區(qū)域曝光,。
2. 化學變化：曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學反應(yīng)（正性膠曝光后溶解，負性膠曝光后交聯(lián)不溶）,。
3. 顯影與刻蝕：溶解未反應(yīng)的部分,，留下圖案化的膠層,，作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模,，將圖案轉(zhuǎn)移到基底上。
在納米技術(shù)中,，關(guān)鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限（λ/2）,，因此需依賴高能束曝光技術(shù)（如電子束光刻,、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率,、低缺陷）,。
負性光刻膠的工藝和應(yīng)用場景,。
研發(fā)投入的“高門檻”
一款KrF光刻膠的研發(fā)費用約2億元，而國際巨頭年研發(fā)投入超10億美元,。國內(nèi)企業(yè)如彤程新材2024年半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)營收只5.4億元,，研發(fā)投入占比不足15%,，難以支撐長期技術(shù)攻關(guān)。
2. 價格競爭的“雙重擠壓”
國內(nèi)PCB光刻膠價格較國際低30%,，但半導(dǎo)體光刻膠因性能差距,，價格為進口產(chǎn)品的70%，而成本卻高出20%,。例如,，國產(chǎn)ArF光刻膠售價約150萬元/噸，而日本同類產(chǎn)品為120萬元/噸,，且性能更優(yōu),。
突破路徑與未來展望
原材料國產(chǎn)化攻堅：聚焦樹脂單體合成、光酸純化等關(guān)鍵環(huán)節(jié),，推動八億時空,、怡達股份等企業(yè)實現(xiàn)百噸級量產(chǎn),。
技術(shù)路線創(chuàng)新：探索金屬氧化物基光刻膠、電子束光刻膠等新方向,，華中科技大學團隊已實現(xiàn)5nm線寬原型驗證,。
產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新：借鑒“TSMC-供應(yīng)商”模式,，推動晶圓廠與光刻膠企業(yè)共建聯(lián)合實驗室,，縮短認證周期。
政策與資本雙輪驅(qū)動：依托國家大基金三期,，對通過驗證的企業(yè)給予設(shè)備采購補貼（30%）,，并設(shè)立專項基金支持EUV光刻膠研發(fā)。
光刻膠的顯示面板領(lǐng)域。大連正性光刻膠國產(chǎn)廠家
告別顯影殘留,！化學增幅型光刻膠助力封裝,。廈門光刻膠生產(chǎn)廠家
技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體先進制程：
? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個）,，開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料,；
? 極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm,，挑戰(zhàn)化學增幅體系的靈敏度,。
環(huán)保與低成本：
? 水性負性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠）,，減少VOC排放；
? 單層膠工藝替代多層膠,，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）,。
新興領(lǐng)域拓展：
? 柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠,，用于可穿戴設(shè)備電路,；
? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）,。
典型產(chǎn)品與廠商
? 半導(dǎo)體正性膠：
? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm,，用于12nm制程）；
? 美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2,，缺陷密度＜5個/cm2）,。
? PCB負性膠：
? 中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm,，國產(chǎn)化率超60%,；
? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板,。
? MEMS厚膠：
? 美國陶氏的SU-8：實驗室常用,，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）,；
? 德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻,，線寬精度±2%，用于工業(yè)級MEMS制造,。
廈門光刻膠生產(chǎn)廠家
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念,，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己,，要求自己,，不斷創(chuàng)新,，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**,，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價,，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結(jié)果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力,，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強,、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度,，在全體員工共同努力之下,，全力拼搏將共同吉田半導(dǎo)體供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品,，我們將以更好的狀態(tài),，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造,，去拼搏，去努力,，讓我們一起更好更快的成長,！
