· 驅(qū)動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動功率PG,。驅(qū)動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值,?！?驅(qū)動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流,?！?驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電,。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中,，給出了每脈沖的比較大輸出電荷,，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮,。另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力,。當(dāng)集電極被施加一個反向電壓時，J1 就會受到反向偏壓控制,，耗盡層則會向N-區(qū)擴(kuò)展,。金山區(qū)質(zhì)量IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn),。只在關(guān)斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象,，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通,，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益,。此外,，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此,，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切,；在結(jié)溫和增益提高的情況下,，P基區(qū)的電阻率會升高，破壞了整體特性,。因此,，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5,。 [2]黃浦區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商一般保存IGBT模塊的場所,，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大,。

1979年,，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。[2]在那個時候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計。后來,，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進(jìn),，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進(jìn)展的[3],。幾年當(dāng)中,，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米,。

?IGBT驅(qū)動電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時對其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域,。圖1圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+ 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ）,，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。

當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/NJ3結(jié)受反向電壓控制,。此時,，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。 [2]閂鎖IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個寄生PNPN晶閘管,。在特殊條件下,，這種寄生器件會導(dǎo)通。這種現(xiàn)象會使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加,，對等效MOSFET的控制能力降低,，通常還會引起器件擊穿問題。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖,，具體地說，這種缺陷的原因互不相同,，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系,。通常情況下，靜態(tài)和動態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：1979年,，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。金山區(qū)質(zhì)量IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。金山區(qū)質(zhì)量IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計算負(fù)象限的門極電荷會更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動器時,，必須考慮下列細(xì)節(jié)：金山區(qū)質(zhì)量IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

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