四川紫外光刻膠品牌

來源：發(fā)布時(shí)間：2025-05-10

厚板光刻膠

電路板制造：在制作對(duì)線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時(shí)，厚板光刻膠可確保線路的精細(xì)度和穩(wěn)定性,，比如汽車電子,、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板，能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流,、高電壓等工況,。
功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件，需要承受高電壓和大電流,，厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié),，保障芯片內(nèi)部電路的精細(xì)布局，提高器件的性能和可靠性,。

負(fù)性光刻膠

半導(dǎo)體制造：在芯片制造過程中,，用于制作一些對(duì)精度要求高、圖形面積較大的結(jié)構(gòu),，如芯片的金屬互連層,、接觸孔等。通過負(fù)性光刻膠的曝光和顯影工藝,，能實(shí)現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移,，確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
平板顯示制造：在液晶顯示器（LCD）和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（OLED）的制造中,，用于制作電極,、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,，負(fù)性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,，控制液晶分子的排列，從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示,。

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定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后,，曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料,，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形。與負(fù)性光刻膠（未曝光區(qū)域溶解）相比,，其優(yōu)勢(shì)是分辨率高,、圖案邊緣清晰，是半導(dǎo)體制造（尤其是制程）的主流選擇,。

化學(xué)組成與工作原理

主要成分

? 樹脂（成膜劑）：

? 傳統(tǒng)正性膠：采用**酚醛樹脂（Novolak）與重氮萘醌（DNQ,，光敏劑）**的復(fù)合體系（PAC體系），占比約80%-90%,。

? 化學(xué)增幅型（用于DUV/EUV）：含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,，搭配光酸發(fā)生器（PAG），通過酸催化反應(yīng)提高感光度和分辨率,。

? 溶劑：溶解樹脂和感光劑,，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

? 添加劑：表面活性劑（改善涂布均勻性）,、穩(wěn)定劑（防止暗反應(yīng)）,、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。

工作原理

? 曝光前：光敏劑（如DNQ）與樹脂結(jié)合,，形成不溶于堿性顯影液的復(fù)合物,。

? 曝光時(shí)：

? 傳統(tǒng)PAC體系：DNQ在紫外光（G線436nm、I線365nm）照射下發(fā)生光分解,，生成羧酸,，使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強(qiáng)。

? 化學(xué)增幅型：PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸,，催化樹脂發(fā)生脫保護(hù)反應(yīng),，大幅提高顯影速率（靈敏度提升10倍以上）。

? 顯影后：曝光區(qū)域溶解去除,，未曝光區(qū)域保留,，形成正性圖案。

四川紫外光刻膠品牌厚板光刻膠 JT-3001,，抗深蝕刻,，PCB 電路板制造Preferred！

國(guó)家戰(zhàn)略支持

《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)劃》將光刻膠列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域,，計(jì)劃投入超500億元支持研發(fā),。工信部對(duì)通過驗(yàn)證的企業(yè)給予稅收減免和設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼，單家企業(yè)比較高補(bǔ)貼可達(dá)研發(fā)投入的30%。

地方產(chǎn)業(yè)協(xié)同

濟(jì)南設(shè)立寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)基金,，深圳國(guó)際半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)（2025年4月）吸引全球300余家企業(yè)參展,，推動(dòng)技術(shù)交流。

資本助力產(chǎn)能擴(kuò)張

恒坤新材通過科創(chuàng)板IPO募資15億元,，擴(kuò)大KrF光刻膠產(chǎn)能并布局集成電路前驅(qū)體項(xiàng)目,。彤程新材半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)2024年上半年?duì)I收增長(zhǎng)54.43%,，ArF光刻膠開始形成銷售,。

半導(dǎo)體集成電路

? 應(yīng)用場(chǎng)景：

? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實(shí)現(xiàn)20nm以下線寬,，用于晶體管柵極,、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu)；

? 封裝工藝：負(fù)性膠用于凸點(diǎn)（Bump）制造,，厚膠（5-50μm）耐電鍍?nèi)芤焊g,。

? 關(guān)鍵要求：高分辨率、低缺陷率,、耐極端工藝（如150℃以上高溫,、等離子體轟擊）。

印刷電路板（PCB）

? 應(yīng)用場(chǎng)景：

? 線路成像：負(fù)性膠（如環(huán)化橡膠膠）用于雙面板/多層板外層線路,，線寬≥50μm,，耐堿性蝕刻液（如氯化銅）；

? 阻焊層：厚負(fù)性膠（50-100μm）覆蓋非焊盤區(qū)域,，耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕,；

? 撓性PCB（FPC）：正性膠用于精細(xì)線路（線寬≤20μm），需耐彎曲應(yīng)力,。

? 優(yōu)勢(shì)：工藝簡(jiǎn)單,、成本低，適合大面積基板（如1.2m×1.0m的PCB基板）,。

平板顯示

? 應(yīng)用場(chǎng)景：

? 彩色濾光片：正性膠制作黑矩陣（BM）和RGB色阻間隔層,，耐UV固化和濕法蝕刻（如HF溶液）；

? OLED像素定義：負(fù)性膠形成像素開口（孔徑5-50μm）,，耐有機(jī)溶劑（如OLED蒸鍍前的清洗液）,；

? 觸控面板：正性膠制作透明電極（如ITO線路），線寬≤10μm,，需透光率＞90%,。

? 關(guān)鍵參數(shù)：高透光性、低收縮率（避免圖案變形）,。

光刻膠是有什么東西,？

“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗(yàn)證

吉田半導(dǎo)體與中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機(jī)制，針對(duì)28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠,，例如其KrF光刻膠已通過中芯國(guó)際北京廠的產(chǎn)線驗(yàn)證,，良率達(dá)95%以上。此外,，公司參與國(guó)家重大專項(xiàng)（如02專項(xiàng)）,，與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎(chǔ)材料，雖未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，但在酸擴(kuò)散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破,。

政策支持與成本優(yōu)勢(shì)

作為廣東省專精特新企業(yè)，吉田半導(dǎo)體享受稅收優(yōu)惠（如15%企業(yè)所得稅）和研發(fā)補(bǔ)貼（2023年獲得國(guó)家補(bǔ)助超2000萬元）,，比較明顯降低產(chǎn)品研發(fā)成本,。同時(shí)，其本地化生產(chǎn)（東莞松山湖基地）可將物流成本壓縮至進(jìn)口產(chǎn)品的1/3,，并實(shí)現(xiàn)48小時(shí)緊急訂單響應(yīng),，這對(duì)中小客戶具有吸引力。

負(fù)性光刻膠生產(chǎn)原料,。湖北UV納米光刻膠品牌

正性光刻膠生產(chǎn)原料,。四川紫外光刻膠品牌

客戶認(rèn)證：從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線的漫長(zhǎng)“闖關(guān)”

驗(yàn)證周期與試錯(cuò)成本

半導(dǎo)體光刻膠需經(jīng)歷PRS（性能測(cè)試）、STR（小試）,、MSTR（中批量驗(yàn)證）等階段,，周期長(zhǎng)達(dá)2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證,，直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺(tái)認(rèn)證,。試錯(cuò)成本極高，單次晶圓測(cè)試費(fèi)用超百萬元,，且客戶為維持產(chǎn)線穩(wěn)定,，通常不愿更換供應(yīng)商。

設(shè)備與工藝的協(xié)同難題

光刻膠需與光刻機(jī),、涂膠顯影機(jī)等設(shè)備高度匹配,。國(guó)內(nèi)企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機(jī)測(cè)試資源,，只能依賴二手設(shè)備或與晶圓廠合作驗(yàn)證,，導(dǎo)致研發(fā)效率低下。例如,，華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機(jī)測(cè)試,，性能參數(shù)難以對(duì)標(biāo)國(guó)際,。

四川紫外光刻膠品牌

標(biāo)簽：光刻膠錫片

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