吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片制造,、顯示面板,、PCB 及微納加工等領(lǐng)域，通過(guò)差異化技術(shù)（如納米壓印,、厚膜工藝）和環(huán)保特性（水性配方）,，滿(mǎn)足從傳統(tǒng)電子到新興領(lǐng)域（如第三代半導(dǎo)體、Mini LED）的多樣化需求,。其產(chǎn)品不僅支持高精度,、高可靠性的制造工藝，還通過(guò)材料創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)向綠色化,、低成本化方向發(fā)展,。吉田半導(dǎo)體光刻膠的優(yōu)勢(shì)在于技術(shù)全面性、環(huán)保創(chuàng)新、質(zhì)量穩(wěn)定性及本土化服務(wù),，尤其在納米壓印,、厚膜工藝及水性膠領(lǐng)域形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。

吉田半導(dǎo)體光刻膠,，45nm 制程驗(yàn)證,，國(guó)產(chǎn)替代方案!廣西3微米光刻膠報(bào)價(jià)

吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題,，提升行業(yè)生產(chǎn)效率,，通過(guò)優(yōu)化材料配方與工藝，吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低,、蝕刻損傷等共性問(wèn)題,，助力客戶(hù)降本增效。
針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低,、蝕刻損傷嚴(yán)重等問(wèn)題,，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類(lèi)產(chǎn)品高 8%，密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%,。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),，在顯影過(guò)程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷，使芯片良率提升至 99.8%,。這些技術(shù)突破有效降低客戶(hù)生產(chǎn)成本,，推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。

吉田半導(dǎo)體柯圖泰全系列感光膠：進(jìn)口品牌品質(zhì),，本地化服務(wù)支持

PCB光刻膠國(guó)產(chǎn)化率超50%,。廣西3微米光刻膠報(bào)價(jià)

1. 全品類(lèi)覆蓋
   吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠,、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠,、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,，覆蓋芯片制造、顯示面板,、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求,，技術(shù)布局全面性于多數(shù)國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商。
2. 關(guān)鍵技術(shù)突破
   納米壓印技術(shù)：JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃,，支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,，適用于第三代半導(dǎo)體（GaN/SiC）及 Mini LED 等新興領(lǐng)域，技術(shù)指標(biāo)接近國(guó)際先進(jìn)水平,。
   水性環(huán)保配方：JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑,，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn),，環(huán)保性能優(yōu)于同類(lèi)產(chǎn)品,。
   厚膜工藝能力：JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控（達(dá)數(shù)十微米），滿(mǎn)足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求,。