磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向基片,，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射,。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用,，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移,，其運動軌跡近似于一條擺線,。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,，它們的運動路徑不只很長,，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來轟擊靶材,，從而實現了高的沉積速率,。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠離靶表面,，并在電場E的作用下較終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小,，致使基片溫升較低。磁控濺射在靶材表面建立與電場正交磁場,，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問題。貴州單靶磁控濺射技術

高速率磁控濺射本質特點是產生大量的濺射粒子,，導致較高的沉積速率,。實驗表明在較大的靶源密度在高速濺射，靶的濺射和局部蒸發(fā)同時發(fā)生,，兩種過程的結合保證了較大的沉積速率（幾μm/min）并導致薄膜的結構發(fā)生變化,。與通常的磁控濺射比較，高速濺射和自濺射的特點在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,，（Pd為磁控靶功率,，S為靶表面積）。高速濺射有一定的限制,，因此在特殊的環(huán)境才能保持高速濺射,，如足夠高的靶源密度，靶材足夠的產額和濺射氣體壓力,，并且要獲得較大氣體的離化率,。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻。貴州單靶磁控濺射技術濺射工藝可重復性好,，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜,。

磁控濺射的濺射技術：直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導體材料。因為轟擊絕緣靶材時,，表面的離子電荷無法中和,，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離,，導致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材,，須用射頻濺射法,。濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子,；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘,，從而從晶格點陣中被碰撞出來，產生離位原子,；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞,，產生碰撞級聯；當這種碰撞級聯到達靶材表面時,，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能,，這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。

磁控濺射的材料性能：如果靶材是磁性材料,，磁力線被靶材屏蔽,，磁力線難以穿透靶材在靶材表面上方形成磁場，磁控的作用將大幅度降低,。因此,，濺射磁性材料時，一方面要求磁控靶的磁場要強一些,，另一方面靶材也要制備的薄一些,，以便磁力線能穿過靶材，在靶面上方產生磁控作用,。磁控濺射設備一般根據所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種,。直流磁控濺射的特點是在陽極基片和陰極靶之間加一個直流電壓，陽離子在電場的作用下轟擊靶材,，它的濺射速率一般都比較大,。磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率。

熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應用：雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設備,。它可用于在高真空背景下,，充入高純氬氣,，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質膜,、半導體膜,。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜,、導電薄膜,、合金薄膜、半導體薄膜,、陶瓷薄膜、介質薄膜,、光學薄膜,、氧化物薄膜、硬質薄膜,、聚四氟乙烯薄膜等,。本公司生產的DC系列的數字型熱式氣體流量控制器在該設備中使用，產品采用全數字架構,，新型的傳感制作工藝,，通訊方式兼容：0-5V、4-20mA,、RS485通訊模式,，一鍵切換通訊信號，操作簡單方便,。磁控濺射的優(yōu)點：操作易控,。北京平衡磁控濺射要多少錢

磁控濺射主要用于在經予處理的塑料、陶瓷等制品表面蒸鍍金屬薄膜,、七彩膜仿金膜等,。貴州單靶磁控濺射技術

磁控濺射技術原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子,，電子飛向基片,。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子,，呈中性的靶原子沉積在基片上成膜,。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內,，該區(qū)域內等離子體密度很高,，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長,。在運動過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材,，較終沉積在基片上,。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向,，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量,。電子的歸宿不只只是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿,。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢,。貴州單靶磁控濺射技術

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