根據(jù)曝光方式的不同,，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種,。接觸式光刻機(jī),，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單,，分辨率高，沒有衍射效應(yīng),，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命,，成品率低,。接近式光刻機(jī),，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒有接觸,，缺陷減少,，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少,，缺點(diǎn)是分辨率低,，存在衍射效應(yīng)。投影式曝光,，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍,，聚焦并與硅片上已有的圖形對準(zhǔn)后曝光，每次曝光一小部分,，曝完一個圖形后,，硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準(zhǔn)曝光，這種曝光方式分辨率比較高,，但不產(chǎn)生缺陷,。光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法,。北京光刻廠商

光刻膠旋轉(zhuǎn)速度,，速度越快，厚度越??；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻,；與旋轉(zhuǎn)加速的時間點(diǎn)有關(guān),。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(guān)（因?yàn)椴煌墑e的曝光波長對應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率）：I-line較厚，約0.7～3μm,；KrF的厚度約0.4～0.9μm,；ArF的厚度約0.2～0.5μm。軟烘方法：真空熱板,，85～120C,30～60秒,；目的：除去溶劑（4～7%）；增強(qiáng)黏附性,；釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力,；防止光刻膠玷污設(shè)備；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后,，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積,。半導(dǎo)體光刻外協(xié)光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快,，厚度越薄,。

日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么,？究其原因，主要是技術(shù)和市場兩大壁壘過高導(dǎo)致的,。首先,，光刻膠作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，扮演著極其重要的角色,，甚至可以和光刻機(jī)相媲美,，但市場規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場的規(guī)模才90億美元,，不及一家大型IC設(shè)計企業(yè)的年?duì)I收,，行業(yè)成長空間有限，自然進(jìn)入的企業(yè)就少,。另一方面,，光刻膠又是一個具有極高技術(shù)壁壘的產(chǎn)業(yè)。由于不同的客戶會有不同的應(yīng)用需求,，同一個客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求,。導(dǎo)致光刻膠的種類極其繁雜，必須通過調(diào)整光刻膠的配方,，滿足差異化應(yīng)用需求,，這也是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。

對于國產(chǎn)光刻膠來說,，今年的九月是極為特殊的一個月份,。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部,、科技部、財政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》,，《意見》提出,，加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)，具體涉及加快在光刻膠,、大尺寸硅片,、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見》還未發(fā)布之前,，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動了,。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外,，還有兩家企業(yè)通過購買光刻機(jī)的方式,，開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè),，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,，這已不是什么鮮為人知的信息了,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度,，加速越快越均勻,。

通常來說，在使用工藝方法一致的情況下,，波長越短,，加工分辨率越佳。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在襯底的中心,，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開,，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中,，光刻膠中的溶劑會揮發(fā)一部分,。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片,，量大了會導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面,，影響工藝質(zhì)量。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋,，主要可能的原因是光刻膠有顆粒,、襯底未清洗干凈。福建光刻加工廠商

光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上,。北京光刻廠商

光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué),、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上,，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù),。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級（從毫米級到亞微米級）,，已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束,、 X射線、微離子束,、激光等新技術(shù),；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù),。光刻技術(shù)是指在光照作用下,，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),；再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠,，后者稱負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上,；較后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上,。北京光刻廠商

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思,，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡,，一群有夢想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖,，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù),，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念,，市場是企業(yè)的方向,，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,，全體上下,，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退,，**協(xié)力把各方面工作做得更好,，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度,，未來廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來,，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績，也不足以驕傲,，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn),，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望,，放飛新的夢想,！