光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,，更是促進了光刻膠的研究開發(fā)和應用,。印刷工業(yè)是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工業(yè)的,，以后才用于電子工業(yè),。光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后,，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化,。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后**燥成膠膜,。光刻膠的技術復雜,，品種較多。根據(jù)其化學反應機理和顯影原理,，可分負性膠和正性膠兩類,。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之,，對某些溶劑是不可溶的,，經(jīng)光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能,，將光刻膠作涂層,，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W結構,，光刻膠可以分為三種類型。接觸式曝光的曝光精度大概只有1微米左右,，能夠滿足大部分的單立器件的使用,。廣東光刻服務

光聚合型光刻膠采用烯類單體,，在光作用下生成自由基,，進一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物,；光分解型光刻膠,，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應,，可以制成正性光刻膠,；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下,，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結構,，而起到抗蝕作用,，可以制成負性光刻膠。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求,。廣東省科學院半導體研究所。河北光刻加工平臺光刻是將掩模版上的圖形轉移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上,。

不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料,。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間,。那時候波長436nm的光刻光源被普遍使用,。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進,，光刻開始采用365nm波長光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長較短的兩個譜線,。高壓汞燈技術成熟,，因此較早被用來當作光刻光源。使用波長短,，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學反應,、提高光刻分別率。

堅膜,，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力,；進一步增強光刻膠與硅片表面之間的黏附性；進一步減少駐波效應（StandingWaveEffect）,。常見問題：a,、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）,；降低小孔填充能力（GapfillCapabilityfortheneedlehole）,；降低與基底的黏附能力。b,、烘烤過度（Overbake）,。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低,，分辨率變差,。另外還可以用深紫外線（DUV，DeepUltra-Violet）堅膜,。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入（125～200C）工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。光刻版就是在蘇打材料通過光刻,、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形,。

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術,。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底,、旋涂光刻膠,、軟烘、對準曝光,、后烘,、顯影、硬烘,、刻蝕,、檢測等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘,，氮氣保護）目的：a,、除去表面的污染物（顆粒、有機物,、工藝殘余,、可動離子）；b,、除去水蒸氣,，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉裕鰪姳砻娴酿じ叫裕▽饪棠z或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）,。接觸式光刻曝光主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸,。安徽光刻工藝

光刻機又被稱為：掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng),、光刻系統(tǒng)等,。廣東光刻服務

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產(chǎn)設備有較高的要求,，且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理,。制備較優(yōu)微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程,，以避免污染,，提高質量,。因此,，光刻膠等微電子化學品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng),、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高,。如果沒有強大的資金實力，企業(yè)就難以在設備,、研發(fā)和技術服務上取得競爭優(yōu)勢,，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此,，光刻膠這樣的微電子化學品行業(yè)具備較高的資金壁壘,。廣東省科學院半導體研究所。廣東光刻服務

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