微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設計,、加工,、組裝、系統(tǒng)集成與應用技術,，涉及領域廣,、多學科交叉融合，其主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）,。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列技術,，研制微型傳感器、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng),，具有微型化,、批量化、成本低的鮮明特點,，對現活,、生產產生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產業(yè),。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺,，面向半導體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,，面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術咨詢,、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供技術支持,。 濕法刻蝕較普遍,、也是成本較低的刻蝕方法！常州鍍膜微納加工

       當微納加工技術應用到光電子領域,，就形成了新興的納米光電子技術,，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里,，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發(fā)展,，包括分子束外延(MBE),、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層,，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面,，平面納米加工工藝實現了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時,，光子晶體概念的出現,，使得納米平面加工工藝廣地應用到光介質材料折射率周期性的改變中。平頂山激光微納加工目前微納制造領域較常用的一種微細加工技術是LIGA,！

    微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類,。“自上而下”是從宏觀對象出發(fā),，以光刻工藝為基礎,，對材料或原料進行加工，小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定,?！白韵露稀奔夹g則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子,、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起,，形成微納結構與器件?；诠饪坦に嚨奈⒓{加工技術主要包含以下過程：掩模（mask）制備,、圖形形成及轉移（涂膠,、曝光,、顯影）、薄膜沉積,、刻蝕,、外延生長、氧化和摻雜等,。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜（抗蝕膠）,，曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用,，形成微細圖形的潛像,，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉變成具有微細圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜,、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件,。

電子束的能量越高,，束斑的直徑就越小，比如10keV的電子束斑直徑為4nm,，20keV時就減小到2nm,。電子束的掃描步長由束斑直徑所限制。步長過大,，不能實現緊密地平面束掃描;步長過小,，電子束掃描區(qū)域會受到過多的電子散射作用。電子束流劑量由電子束電流強度和駐留時間所決定,。電子束流劑量過小,，抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過大，圖形邊緣的抗蝕劑會受到過多的電子散射作用,。由于高能量的電子波長要比光波長短成百上千倍,，因此限制分辨率的不是電子的衍射，而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射,。電子散射會使圖形邊緣內側的電子能量和劑量降低,，產生內鄰近效應;同時散射的電子會使圖形邊緣外側的抗蝕劑感光，產生外鄰近效應,。內鄰近效應使垂直的圖形拐角圓弧化,，而外鄰近效應使相鄰的圖形邊緣趨近和模糊。微納加工涉及領域廣,、多學科交叉融合,，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS）。

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝,。在微納加工過程中,，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜,、合金薄膜,、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下,，利用電阻加熱至材料的熔化溫度,，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱,；磁控濺射在高真空,，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底,；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜,；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法,，CVD和PECVD用于生長氮化硅、氧化硅等介質膜,。真空蒸鍍,，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下,，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化,，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早,、用途較廣的氣相沉積技術,，具有成膜方法簡單、薄膜純度和致密性高,、膜結構和性能獨特等優(yōu)點,。 微納制造技術屬國際前沿技術，作為未來制造業(yè)賴以生存的基礎和可持續(xù)發(fā)展的關鍵,。石墨烯微納加工

高精度的微細結構通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,。常州鍍膜微納加工

    微納加工中蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構或產生化學鍵合,。將襯底放入真空室內,，以電阻、電子束,、激光等方法加熱膜料,，使膜料蒸發(fā)或升華，氣化為具有一定能量（～eV）的粒子（原子,、分子或原子團）,。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運動飛速傳送至襯底，到達襯底表面的粒子一部分被反射,，另一部分吸附在襯底上并發(fā)生表面擴散,，沉積原子之間產生二維碰撞,，形成簇團，有的可能在表面短時停留后又蒸發(fā),。粒子簇團不斷地與擴散粒子相碰撞,，或吸附單粒子，或放出單粒子,。此過程反復進行,，當聚集的粒子數超過某一臨界值時就變?yōu)榉€(wěn)定的核,，再繼續(xù)吸附擴散粒子而逐步長大，終通過相鄰穩(wěn)定核的接觸,、合并,，形成連續(xù)薄膜。膜方法簡單,、薄膜純度和致密性高,、膜結構和性能獨特等優(yōu)點。所謂濺射鍍膜是指在真空室中,，利用荷能粒子（如正離子）轟擊靶材,，使靶材表面原子或原子團逸出，逸出的原子在工件的表面形成與靶材成分相同的薄膜,，這種制備薄膜的方法稱為濺射鍍膜,。目前，濺射法主要用于形成金屬或合金薄膜,，特別是用于制作電子元件的電極和玻璃表面紅外線反射薄膜,。 常州鍍膜微納加工

廣東省科學院半導體研究所一直專注于面向半導體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領域，致力于打造***的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,，面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術咨詢,、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供支持,。,，是一家電子元器件的企業(yè)，擁有自己**的技術體系,。公司目前擁有專業(yè)的技術員工,，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺與成長空間，為客戶提供高質的產品服務，深受員工與客戶好評,。公司以誠信為本,，業(yè)務領域涵蓋微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務,，紫外光刻技術服務,，材料刻蝕技術服務，我們本著對客戶負責,，對員工負責,，更是對公司發(fā)展負責的態(tài)度，爭取做到讓每位客戶滿意,。公司深耕微納加工技術服務,，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務,，材料刻蝕技術服務,，正積蓄著更大的能量,，向更廣闊的空間,、更寬泛的領域拓展。