微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米,、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計、加工,、組裝,、系統(tǒng)集成與應用技術(shù)，涉及領(lǐng)域廣,、多學科交叉融合,，其主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列技術(shù),，研制微型傳感器,、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化,、批量化,、成本低的鮮明特點，對現(xiàn)活,、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用,，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺,，面向半導體光電子器件,、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造的公益性、開放性,、支撐性樞紐中心,。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務,，面向國內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持,。 濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法,！常州鍍膜微納加工

       當微納加工技術(shù)應用到光電子領(lǐng)域,，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過去的十多年里,，一方面,，以低維結(jié)構(gòu)材料生長和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE),、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE),，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面,，平面納米加工工藝實現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕,，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時，光子晶體概念的出現(xiàn),，使得納米平面加工工藝廣地應用到光介質(zhì)材料折射率周期性的改變中,。平頂山激光微納加工目前微納制造領(lǐng)域較常用的一種微細加工技術(shù)是LIGA！

    微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類,?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ),，對材料或原料進行加工,，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā),，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起,，形成微納結(jié)構(gòu)與器件,。基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過程：掩模（mask）制備,、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠,、曝光、顯影）,、薄膜沉積,、刻蝕、外延生長,、氧化和摻雜等,。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用,，形成微細圖形的潛像,，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜,、刻蝕等可進一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。

電子束的能量越高,，束斑的直徑就越小,，比如10keV的電子束斑直徑為4nm，20keV時就減小到2nm,。電子束的掃描步長由束斑直徑所限制,。步長過大，不能實現(xiàn)緊密地平面束掃描;步長過小,，電子束掃描區(qū)域會受到過多的電子散射作用,。電子束流劑量由電子束電流強度和駐留時間所決定。電子束流劑量過小,，抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過大,，圖形邊緣的抗蝕劑會受到過多的電子散射作用。由于高能量的電子波長要比光波長短成百上千倍,，因此限制分辨率的不是電子的衍射,，而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射。電子散射會使圖形邊緣內(nèi)側(cè)的電子能量和劑量降低,，產(chǎn)生內(nèi)鄰近效應;同時散射的電子會使圖形邊緣外側(cè)的抗蝕劑感光,，產(chǎn)生外鄰近效應。內(nèi)鄰近效應使垂直的圖形拐角圓弧化,，而外鄰近效應使相鄰的圖形邊緣趨近和模糊,。微納加工涉及領(lǐng)域廣、多學科交叉融合,，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS）,。

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝。在微納加工過程中,，薄膜的形成方法主要為物理沉積,、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法,，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜,、化合物等,。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱,；磁控濺射在高真空，在電場的作用下,，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材,，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好,，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結(jié)合的混合方法,，CVD和PECVD用于生長氮化硅,、氧化硅等介質(zhì)膜。真空蒸鍍,，簡稱蒸鍍,，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化,，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法,。蒸鍍是使用較早、用途較廣的氣相沉積技術(shù),，具有成膜方法簡單,、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能獨特等優(yōu)點,。 微納制造技術(shù)屬國際前沿技術(shù),，作為未來制造業(yè)賴以生存的基礎(chǔ)和可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。石墨烯微納加工

高精度的微細結(jié)構(gòu)通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,。常州鍍膜微納加工

    微納加工中蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核,、長大成固體薄膜→薄膜原子重構(gòu)或產(chǎn)生化學鍵合。將襯底放入真空室內(nèi),，以電阻,、電子束、激光等方法加熱膜料,，使膜料蒸發(fā)或升華,，氣化為具有一定能量（～eV）的粒子（原子、分子或原子團）,。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運動飛速傳送至襯底,，到達襯底表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在襯底上并發(fā)生表面擴散,，沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞,，形成簇團,，有的可能在表面短時停留后又蒸發(fā)。粒子簇團不斷地與擴散粒子相碰撞,，或吸附單粒子,，或放出單粒子。此過程反復進行,，當聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時就變?yōu)榉€(wěn)定的核,，再繼續(xù)吸附擴散粒子而逐步長大，終通過相鄰穩(wěn)定核的接觸,、合并,，形成連續(xù)薄膜。膜方法簡單,、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能獨特等優(yōu)點,。所謂濺射鍍膜是指在真空室中,，利用荷能粒子（如正離子）轟擊靶材，使靶材表面原子或原子團逸出,，逸出的原子在工件的表面形成與靶材成分相同的薄膜,，這種制備薄膜的方法稱為濺射鍍膜。目前,，濺射法主要用于形成金屬或合金薄膜,，特別是用于制作電子元件的電極和玻璃表面紅外線反射薄膜。 常州鍍膜微納加工

廣東省科學院半導體研究所一直專注于面向半導體光電子器件,、功率電子器件,、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性,、開放性、支撐性樞紐中心,。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務，面向國內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持,。,，是一家電子元器件的企業(yè)，擁有自己**的技術(shù)體系,。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工,，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺與成長空間，為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務,，深受員工與客戶好評,。公司以誠信為本，業(yè)務領(lǐng)域涵蓋微納加工技術(shù)服務,，真空鍍膜技術(shù)服務,，紫外光刻技術(shù)服務，材料刻蝕技術(shù)服務,，我們本著對客戶負責,，對員工負責，更是對公司發(fā)展負責的態(tài)度,，爭取做到讓每位客戶滿意,。公司深耕微納加工技術(shù)服務，真空鍍膜技術(shù)服務,，紫外光刻技術(shù)服務,，材料刻蝕技術(shù)服務，正積蓄著更大的能量,，向更廣闊的空間,、更寬泛的領(lǐng)域拓展。