真空鍍膜技術(shù)在國民經(jīng)濟各個領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,，特別是近幾年來，我國國民經(jīng)濟的迅速發(fā)展,、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn),。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法,、氧化法,、離子注人法、擴散法,、電鍍法,、涂布法、液相生長法等,。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學(xué)沉積法和放電聚合法等,。本次實驗是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進行的,，因此稱它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g(shù),。真空蒸發(fā),、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術(shù),。真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中,，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出,，形成蒸氣流,，入射到基片表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法,。真空鍍膜技術(shù)有真空濺射鍍膜,。連云港PVD真空鍍膜

真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續(xù)呈現(xiàn),，所以稱作為“多弧”,。多弧離子鍍的主要特點說明：陰極電弧蒸發(fā)離化源可從固體陰極直接產(chǎn)生等離子體，而不產(chǎn)生熔池,，所以可以任意方位布置,，也可采用多個蒸發(fā)離化源。鍍料的離化率高,，一般達60%～90%,，卓著提高與基體的結(jié)合力改善膜層的性能。沉積速率高,，改善鍍膜的效率,。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況,，工作較為安全,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。貴州UV光固化真空鍍膜真空鍍膜有三種形式,，即蒸發(fā)鍍膜,、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜的方法很多,，計有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13,。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,，凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面,，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),，保持壓強約1。33～13,。3Pa,，然后將陰極接上2000V的直流電源,，便激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極,，使其射出原子,，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜?；瘜W(xué)氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物,，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結(jié)合,，兼有兩者的工藝特點,。

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱,，因此對基板材料的限制較少,。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀90年代之前,，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題,，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低,，膜的缺陷密度較高,，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離,。

常用的薄膜制備方式主要有兩種,，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜,、電子束蒸發(fā)鍍膜,、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學(xué)法氣相沉積（CVD）,，主要有常壓CVD,、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法,。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學(xué)清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）,。真空鍍膜機鍍鋁層導(dǎo)電性能好，能消除靜電效應(yīng),。安徽金屬真空鍍膜

真空鍍膜中離子鍍的鍍層無氣泡,。連云港PVD真空鍍膜

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射出來的粒子在飛向基體過程中易和真空室中的氣體分子發(fā)生碰撞，導(dǎo)致運動方向隨機化,，使得沉積的膜易于均勻,。發(fā)展起來的規(guī)模性磁控濺射鍍膜,，沉積速率較高，工藝重復(fù)性好,，便于自動化,，已適當(dāng)于大型建筑裝飾鍍膜及工業(yè)材料的功能性鍍膜，如TGN-JR型用多弧或磁控濺射在卷材的泡沫塑料及纖維織物表面鍍鎳Ni及銀Ag的生產(chǎn)制備,。濺射鍍膜可分為直流濺射,、射頻濺射和磁控濺射，其對應(yīng)的輝光放電電壓源和控制場分別為高壓直流電,、射頻(RF)交流電和磁控(M)場,。連云港PVD真空鍍膜