為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜，我們通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜,。通過(guò)理論計(jì)算和性能測(cè)試，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn),。考慮Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小,，密度以及能達(dá)到均勻化的程度,，因?yàn)樗仓苯佑绊慉l膜的其它性能,，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能,。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過(guò)程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度,、沉積速度,、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素,。真空鍍膜是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料,。韶關(guān)真空鍍膜儀

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料,，使其原子或者分子從表面氣化逸出,，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面,，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法,。真空蒸發(fā)鍍膜法，設(shè)備比較簡(jiǎn)單,、容易操作,、制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,、膜厚容易控制,，成膜速率快，效果高,。在一定溫度下,，在真空當(dāng)中，蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過(guò)程中所表現(xiàn)出的壓力,， 稱為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓。此時(shí)蒸發(fā)物表面液相,、氣相處于動(dòng)態(tài)平衡,，即到達(dá)液相表面的分子全部粘接而不離開(kāi)，并與從液相都?xì)庀嗟姆肿訑?shù)相等,。物質(zhì)的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大,，在一定溫度下，各種物質(zhì)的飽和蒸氣壓不相同,，且具有恒定的數(shù)值。相反,，一定的飽和蒸氣壓必定對(duì)應(yīng)一定的物質(zhì)的溫度。北京真空鍍膜外協(xié)在建筑和汽車玻璃上使用真空電鍍?cè)O(shè)備技術(shù),，鍍涂一層TiO2就能使其變成防霧,、防露和自清潔玻璃,。

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬,、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如,，真空鍍鋁、真空鍍鉻等,。真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面,，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ),，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束,、分子束、離子束,、等離子束,、射頻和磁控等一系列新技術(shù),，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō),，在真空中把金屬,、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射,，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法,，稱為真空鍍膜。

基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響,，基片溫度高,，使吸附原子的動(dòng)能增大,，跨越表面勢(shì)壘的幾率增多,，容易結(jié)晶化，并使薄膜缺陷減少,，同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少,，基片溫度低，則易形成無(wú)定形結(jié)構(gòu)膜,。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大,，所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度,。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時(shí)電阻大電流加熱,，采用鎢，鉬,，鉑等高熔點(diǎn)的金屬。真空鍍膜時(shí),，飛抵基片的氣化原子或分子,，一部分被反射,，一部分被蒸發(fā)離開(kāi)，剩下的要么結(jié)合在一起,，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大,；或者單個(gè)原子或分子在基片上自由擴(kuò)散,，逐漸生長(zhǎng),，覆蓋整個(gè)基片，形成鍍膜,。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量真空鍍膜機(jī)硬化膜沉積技術(shù)目前較成熟的是cvd、pvd,。

真空鍍膜：真空蒸鍍是在真空條件下,，將鍍料靶材加熱并蒸發(fā),，使大量的原子、分子氣化并離開(kāi)液體鍍料或離開(kāi)固體鍍料表面（或升華）,，并較終沉積在基體表面上的技術(shù)。在整個(gè)過(guò)程中,，氣態(tài)的原子,、分子在真空中會(huì)經(jīng)過(guò)很少的碰撞而直接遷移到基體,，并沉積在基體表面形成薄膜。蒸發(fā)的方法包括電阻加熱,，高頻感應(yīng)加熱,，電子束,、激光束、離子束高能轟擊鍍料等,。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù)。將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化,，這種加熱裝置稱為蒸發(fā)源,。較常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源,，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應(yīng)加熱,、電弧加熱、輻射加熱,、激光加熱蒸發(fā)源等。真空鍍膜機(jī)電磁閥是由電磁線圈和磁芯組成，是包含一個(gè)或幾個(gè)孔的閥體,。汕尾真空鍍膜廠

各種真空鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境。韶關(guān)真空鍍膜儀

真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子,，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn),，擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍,，無(wú)論是金屬,、金屬合金、金屬間化合物,、陶瓷或有機(jī)物質(zhì),，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜,，而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發(fā)或?yàn)R射出來(lái)的制膜材料,，在與待鍍的工件生成薄膜的過(guò)程中，對(duì)其膜厚可進(jìn)行比較精確的測(cè)量和控制,，從而保證膜厚的均勻性。每種薄膜都可以通過(guò)微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù),，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到較小的程度,，還可以充入惰性氣體等,，這對(duì)于濕式鍍膜而言是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的,。由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn)，鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化,，從而地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量，而且在生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)環(huán)境無(wú)污染,。由于在真空條件下制膜,，所以薄膜的純度高,、密實(shí)性好、表面光亮不需要再加工,，這就使得薄膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好,。韶關(guān)真空鍍膜儀