為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜,，我們通過優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜,。通過理論計算和性能測試,，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點?？紤]Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小,，密度以及能達(dá)到均勻化的程度，因為它也直接影響Al膜的其它性能,，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能,。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度,、沉積速度,、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素,。真空鍍膜是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料,。韶關(guān)真空鍍膜儀

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料,，使其原子或者分子從表面氣化逸出,，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面,，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法,。真空蒸發(fā)鍍膜法，設(shè)備比較簡單,、容易操作,、制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,、膜厚容易控制,，成膜速率快，效果高,。在一定溫度下,，在真空當(dāng)中，蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現(xiàn)出的壓力,， 稱為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓,。此時蒸發(fā)物表面液相、氣相處于動態(tài)平衡,，即到達(dá)液相表面的分子全部粘接而不離開,，并與從液相都?xì)庀嗟姆肿訑?shù)相等,。物質(zhì)的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大，在一定溫度下,，各種物質(zhì)的飽和蒸氣壓不相同,，且具有恒定的數(shù)值。相反,，一定的飽和蒸氣壓必定對應(yīng)一定的物質(zhì)的溫度,。北京真空鍍膜外協(xié)在建筑和汽車玻璃上使用真空電鍍設(shè)備技術(shù)，鍍涂一層TiO2就能使其變成防霧,、防露和自清潔玻璃,。

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬,、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法,。例如，真空鍍鋁,、真空鍍鉻等,。真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ),，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束,、分子束,、離子束、等離子束,、射頻和磁控等一系列新技術(shù),，為科學(xué)研究和實際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說,，在真空中把金屬,、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板,、基片或基體）上凝固并沉積的方法,，稱為真空鍍膜。

基片溫度對薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響,，基片溫度高,，使吸附原子的動能增大，跨越表面勢壘的幾率增多,，容易結(jié)晶化,，并使薄膜缺陷減少，同時薄膜內(nèi)應(yīng)力也會減少,，基片溫度低,，則易形成無定形結(jié)構(gòu)膜,。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實驗時必須控制好蒸發(fā)源溫度,。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時電阻大電流加熱,，采用鎢，鉬,，鉑等高熔點的金屬,。真空鍍膜時，飛抵基片的氣化原子或分子,，一部分被反射,，一部分被蒸發(fā)離開，剩下的要么結(jié)合在一起,，再捕獲其他原子或分子,，使得自己增大；或者單個原子或分子在基片上自由擴(kuò)散,，逐漸生長,，覆蓋整個基片，形成鍍膜,。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量真空鍍膜機(jī)硬化膜沉積技術(shù)目前較成熟的是cvd,、pvd。

真空鍍膜：真空蒸鍍是在真空條件下,，將鍍料靶材加熱并蒸發(fā),，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面（或升華）,，并較終沉積在基體表面上的技術(shù),。在整個過程中，氣態(tài)的原子,、分子在真空中會經(jīng)過很少的碰撞而直接遷移到基體,，并沉積在基體表面形成薄膜。蒸發(fā)的方法包括電阻加熱,，高頻感應(yīng)加熱,，電子束、激光束,、離子束高能轟擊鍍料等,。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù)。將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化,，這種加熱裝置稱為蒸發(fā)源,。較常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應(yīng)加熱,、電弧加熱,、輻射加熱,、激光加熱蒸發(fā)源等。真空鍍膜機(jī)電磁閥是由電磁線圈和磁芯組成,，是包含一個或幾個孔的閥體,。汕尾真空鍍膜廠

各種真空鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境。韶關(guān)真空鍍膜儀

真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子,，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體,。由于源或靶的不斷改進(jìn)，擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍,，無論是金屬,、金屬合金、金屬間化合物,、陶瓷或有機(jī)物質(zhì),，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜,。蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料,，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進(jìn)行比較精確的測量和控制,，從而保證膜厚的均勻性,。每種薄膜都可以通過微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù)，從而防止蒸鍍材料的氧化,，把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到較小的程度,，還可以充入惰性氣體等，這對于濕式鍍膜而言是無法實現(xiàn)的,。由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn)，鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化,，從而地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量,，而且在生產(chǎn)過程中對環(huán)境無污染。由于在真空條件下制膜,，所以薄膜的純度高,、密實性好、表面光亮不需要再加工,，這就使得薄膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好,。韶關(guān)真空鍍膜儀