反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn),，這是因為：(1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮,、碳氫化合物等)純度很高,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性,。(3)反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板升溫較小，而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱,，因此對基板材料的限制較少,。(4)反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場轉(zhuǎn)圈,。江西直流磁控濺射平臺

磁控濺射設(shè)備的主要用途：（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射,、反射、折射,、偏光等作用的薄膜,。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜,，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,。（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等,，如手機外殼,，鼠標等。（3）在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機,。（4）化學(xué)氣相沉積（CVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜,。（5）在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）,、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用,。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池,、微波與射頻屏蔽裝置與器件,、傳感器等。（6）在機械加工行業(yè)中,，表面功能膜,、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展,，能有效的提高表面硬度,、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命,。湖南平衡磁控濺射哪家能做磁控濺射技術(shù)在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面也得到應(yīng)用,。

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡單、易于控制,、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點,。上世紀70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率,。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量,，離開靶被濺射出來,。

磁控濺射技術(shù)不只是科學(xué)研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術(shù)，經(jīng)過多年的不斷完善和發(fā)展,，該技術(shù)也已經(jīng)成為重要的工業(yè)化大面積真空鍍膜技術(shù)之一,，普遍應(yīng)用于玻璃,、汽車、醫(yī)療衛(wèi)生,、電子工業(yè)等工業(yè)和民生領(lǐng)域,。例如，采用磁控濺射工藝生產(chǎn)鍍膜玻璃,，其膜層可以由多層金屬或金屬氧化物祖成,，允許任意調(diào)節(jié)能量通過率、反射率,，具有良好的美觀效果,，被越來越多的被應(yīng)用于現(xiàn)代建筑領(lǐng)域。再比如,，磁控濺射技術(shù)也能夠應(yīng)用于織物涂層,，這些織物涂層可以應(yīng)用于安全領(lǐng)域，如防電擊,、電磁屏蔽和機器人防護面料等,，也可用于染料制作。這樣的涂層織物在醫(yī)療衛(wèi)生,、環(huán)境保護,、電子工業(yè)等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。磁控濺射鍍膜的適用范圍：在不銹鋼刀片涂層技術(shù)中的應(yīng)用,。

高速率磁控濺射本質(zhì)特點是產(chǎn)生大量的濺射粒子,，導(dǎo)致較高的沉積速率。實驗表明在較大的靶源密度在高速濺射,，靶的濺射和局部蒸發(fā)同時發(fā)生,，兩種過程的結(jié)合保證了較大的沉積速率（幾μm/min）并導(dǎo)致薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。與通常的磁控濺射比較,，高速濺射和自濺射的特點在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,，（Pd為磁控靶功率，S為靶表面積）,。高速濺射有一定的限制，因此在特殊的環(huán)境才能保持高速濺射,，如足夠高的靶源密度,，靶材足夠的產(chǎn)額和濺射氣體壓力，并且要獲得較大氣體的離化率,。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻,。磁控濺射屬于輝光放電范疇，利用陰極濺射原理進行鍍膜,。貴州多功能磁控濺射儀器

在各種濺射鍍膜技術(shù)中,，磁控濺射技術(shù)是較重要的技術(shù)之一,。江西直流磁控濺射平臺

直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V,，特點是濺射速率快,，造價低，后期維修保養(yǎng)廉價,?？墒侵荒転R射金屬靶材，假如靶材是絕緣體,，隨著濺射的深化,，靶材會聚集很多的電荷，導(dǎo)致濺射無法持續(xù),。因而關(guān)于金屬靶材通常用直流磁控濺射,，因為造價廉價，結(jié)構(gòu)簡略,，目前在工業(yè)上使用普遍,。脈沖磁控濺射是采用脈沖電源或者直流電源與脈沖生成裝置配合，輸出脈沖電流驅(qū)動磁控濺射沉積,。一般使用矩形波電壓,，既容易獲得又有利于研究濺射放電等離子體的變化過程。工作模式與中頻濺射,。江西直流磁控濺射平臺