可控硅從外形上分類(lèi)主要有：螺栓形、平板形和平底形,?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見(jiàn)圖1,。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2,、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K,，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)原件可控硅類(lèi)型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱(chēng)作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無(wú)火花,、動(dòng)作快,、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。工業(yè)園區(qū)好的可控硅模塊推薦廠家

可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductor module）,。**早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi),；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）,、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管,、整流管混合模塊（MFC）,、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）,、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）,、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。蘇州使用可控硅模塊報(bào)價(jià)可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓栌卸喾N分類(lèi)方法。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅,、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個(gè)PN結(jié),，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶?lèi)似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱(chēng)之為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。大,；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通） [1],?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過(guò)，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。昆山智能可控硅模塊品牌

可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。工業(yè)園區(qū)好的可控硅模塊推薦廠家

應(yīng)用類(lèi)型雙向可控硅的特性曲線(xiàn)圖4示出了雙向可控硅的特性曲線(xiàn)。由圖可見(jiàn),，雙向可控硅的特性曲線(xiàn)是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線(xiàn)組合成的。***象限的曲線(xiàn)說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),，我們稱(chēng)為正向電壓,，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí)，叫做反向電壓,，并用符號(hào)U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí)，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的電流為I12,，其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線(xiàn),，如圖4中第三象限所示,。工業(yè)園區(qū)好的可控硅模塊推薦廠家

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