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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-06

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時(shí),,開(kāi)關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),由于開(kāi)關(guān)損耗增大,,發(fā)熱加劇,,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。IGBT Modules 在使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),,IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一,。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸,;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),,在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作,。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),,其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。相城區(qū)好的IGBT模塊品牌

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1979年,,MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。80年代初期,,用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來(lái)。[2]在那個(gè)時(shí)候,,硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計(jì),。后來(lái),通過(guò)采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)***改進(jìn),,這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步,以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的[3],。幾年當(dāng)中,,這種在采用PT設(shè)計(jì)的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu),其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米,。昆山使用IGBT模塊品牌檢測(cè)IGBT模塊的的辦法,。

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冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門(mén)極電荷:如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies,門(mén)極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到)如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,,那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,,門(mén)極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到)如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門(mén)極電荷曲線,那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門(mén)極電荷會(huì)更接近實(shí)際值:

鑒于尾流與少子的重組有關(guān),,尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度,、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此,,根據(jù)所達(dá)到的溫度,,降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的,尾流特性與VCE,、IC和 TC有關(guān),。柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí),MOSFET內(nèi)的溝道消失,,晶體管的基極電流被切斷,,IGBT關(guān)斷。 [2]反向阻斷當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí),,J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,,耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過(guò)多地降低這個(gè)層面的厚度,,將無(wú)法取得一個(gè)有效的阻斷能力,,所以,這個(gè)機(jī)制十分重要,。另一方面,,如果過(guò)大地增加這個(gè)區(qū)域尺寸,就會(huì)連續(xù)地提高壓降,。如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

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正向阻斷當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個(gè)正電壓時(shí),,P/NJ3結(jié)受反向電壓控制,。此時(shí),仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓,。 [2]閂鎖IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個(gè)寄生PNPN晶閘管,。在特殊條件下,這種寄生器件會(huì)導(dǎo)通,。這種現(xiàn)象會(huì)使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加,,對(duì)等效MOSFET的控制能力降低,通常還會(huì)引起器件擊穿問(wèn)題,。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱(chēng)為IGBT閂鎖,,具體地說(shuō),這種缺陷的原因互不相同,與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系,。通常情況下,,靜態(tài)和動(dòng)態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別:盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;姑蘇區(qū)智能IGBT模塊品牌

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。相城區(qū)好的IGBT模塊品牌

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中,。例電動(dòng)汽車(chē),、伺服控制器、UPS,、開(kāi)關(guān)電源,、斬波電源、無(wú)軌電車(chē)等,。問(wèn)世迄今有十年多歷史,,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR,、GTO,、GTR、MOSFET,、雙極型達(dá)林頓管等如今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中,,單個(gè)元件電壓可達(dá)4.0KV(pt結(jié)構(gòu))一6.5KV(npt結(jié)構(gòu)),電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊,。 [1]a,柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,,以免產(chǎn)生靜電而擊穿,所以包裝時(shí)將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,,將它短接,。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸,直到g極管腳進(jìn)行長(zhǎng)久性連接,。  相城區(qū)好的IGBT模塊品牌

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