1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。[2]在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計,。后來,，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步,，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進展的[3],。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu),，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進到3微米,。將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D),，紅表筆接IGBT 的源極(S),，此時萬用表的指針指在無窮處,。張家港質(zhì)量IGBT模塊現(xiàn)價

在使用IGBT的場合，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài)),，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞,，為防止此類故障,，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時,，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂,。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障,。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進行檢查,，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作 [1],。吳江區(qū)新型IGBT模塊現(xiàn)價檢測IGBT模塊的的辦法,。

IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR,。IGBT在關(guān)斷時不需要負柵壓來減少關(guān)斷時間,，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V,，和MOSFET相當(dāng),。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低,。正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn),，其電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求,，特別是在高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中,，要求器件的電壓等級達到10KV以上。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷,。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時對其進行保護的電路。GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大；

fsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出,，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,，然后再計算出QG,。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時,，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn),。蘇州新型IGBT模塊量大從優(yōu)

保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;張家港質(zhì)量IGBT模塊現(xiàn)價

IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷,。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓,。 [1] [4]靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性,。張家港質(zhì)量IGBT模塊現(xiàn)價

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