用R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極和控制極之間的電阻,，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋,，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大,，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞,。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大,。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值,。萬(wàn)用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆仍接陰極,，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng),。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆,，陰極接紅表筆時(shí),，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用,。蘇州本地可控硅模塊工廠直銷(xiāo)

大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個(gè)PN結(jié),，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶?lèi)似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱(chēng)之為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。張家港好的可控硅模塊私人定做維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。

主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA,，JX ,，SANREX,，SANKEN ,，SEMIKRON ,，EUPEC，IR,，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門(mén)極觸發(fā)電流VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門(mén)極峰值功率PG----門(mén)極平均功率

應(yīng)用類(lèi)型雙向可控硅的特性曲線(xiàn)圖4示出了雙向可控硅的特性曲線(xiàn)。由圖可見(jiàn),，雙向可控硅的特性曲線(xiàn)是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線(xiàn)組合成的。***象限的曲線(xiàn)說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),，我們稱(chēng)為正向電壓,，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí)，叫做反向電壓,，并用符號(hào)U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí)，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的電流為I12,，其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線(xiàn),，如圖4中第三象限所示,。按關(guān)斷速度分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能,、模式的組合體,，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能,，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率mosfet,，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,，常簡(jiǎn)寫(xiě)為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能,、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,，簡(jiǎn)寫(xiě)psoc)，它能把傳感器件與電路,、信號(hào)處理電路,、接口電路、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過(guò)熱,、過(guò)壓、過(guò)流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能,。國(guó)際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**,。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱(chēng)晶閘管?；⑶饏^(qū)智能可控硅模塊工廠直銷(xiāo)

小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A。蘇州本地可控硅模塊工廠直銷(xiāo)

為了克服上述問(wèn)題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā)。一般,，電阻取100R,，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉,。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開(kāi)路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。蘇州本地可控硅模塊工廠直銷(xiāo)

傳承電子科技(江蘇)有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度,，多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),，在江蘇省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績(jī)讓我們喜悅,，但不會(huì)讓我們止步,，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,，和諧溫馨的工作環(huán)境,，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力,，傳承電子科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái),，回首過(guò)去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜,，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍,，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,，要不畏困難,，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,，共同走向輝煌回來(lái),！