功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能,、模式的組合體,，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體,。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能,，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等,。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率mosfet,，常簡寫為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic，常簡寫為pic)為主,。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材,，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip，簡寫psoc),，它能把傳感器件與電路,、信號處理電路、接口電路,、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱,、過壓、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能,。國際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**,。在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。工業(yè)園區(qū)使用可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電極,。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連，其引出端稱T1極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）,。單,、雙向可控硅的判別先任測兩個(gè)極，若正,、反測指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A、K或G,、A極（對單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2、G極（對雙向可控硅）,。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極,，剩下即為A極。若正,、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極,，余下是T2極,。姑蘇區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,，卻不能使它關(guān)斷。

從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路,， 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,，具有強(qiáng)烈的正反反饋?zhàn)饔谩Ｒ坏?G,、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,，由于正反饋?zhàn)饔茫瑑晒軐⒀讣催M(jìn)入飽合導(dǎo)通狀態(tài),?？煽毓鑼?dǎo)通之后，它的導(dǎo)通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋?zhàn)饔脕砭S持,，即使控制電流（電壓）消失,，可控硅仍處于導(dǎo)通 狀態(tài)?？刂菩盘?UGK 的作用**是觸發(fā)可控硅使其導(dǎo)通,，導(dǎo)通之后，控制信號便失去控制 作用,。單向可控硅的導(dǎo)通需要兩個(gè)條件：1） A,、K 之間加正向電壓；2） G,、K 之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電流信號,，無論是直流或脈沖信號。

晶閘管特性單向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號為了能夠直觀地認(rèn)識晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板（圖3）,。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極,，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管,，若采用KP5型，應(yīng)接在3V直流電源的正極）,。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開關(guān)S,，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導(dǎo)通,；再按一下按鈕開關(guān)SB,，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,，小燈泡亮了，說明晶閘管導(dǎo)通了,。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,，那么，在電壓過零時(shí),，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷,。

1、高壓晶閘管  2,、用于未來能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開關(guān)二極管  3,、采用超級結(jié)技術(shù)的超高速開關(guān)器件  4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度  半導(dǎo)體模塊之間的差異,，不僅*體現(xiàn)在連接技術(shù)方面,。另一個(gè)差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)集成度不同,，可分為以下幾類：標(biāo)準(zhǔn)模塊,，智能功率模塊（ipm），（集成）子系統(tǒng),。在ipm被***使用（尤其在亞洲地區(qū)）的同時(shí),，集成子系統(tǒng)的使用只剛剛起步。  按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。蘇州智能可控硅模塊報(bào)價(jià)

可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。工業(yè)園區(qū)使用可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

測量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1],。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測量控制極正反向電阻時(shí),，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿,。工業(yè)園區(qū)使用可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

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