IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時,，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇,，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負載電流。特別是用作高頻開關(guān)時,，由于開關(guān)損耗增大,，發(fā)熱加劇，選用時應(yīng)該降等使用,。IGBT Modules 在使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時,，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,，再觸摸,；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊,；盡量在底板良好接地的情況下操作,。此時即可判斷IGBT 是好的。常熟加工IGBT模塊工廠直銷

1979年,，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。80年代初期,，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計,。后來，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進,，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步,，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當中，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu),，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進到3微米,。常熟加工IGBT模塊工廠直銷將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D),，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時萬用表的指針指在無窮處,。

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作,。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求,。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導(dǎo)通后,。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度,，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時,，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū),。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下,，VGE越高,，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小,，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力,。但是， VGE并非越高越好,，一般不允許超過20 V,，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高,，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大。通常,，綜合考慮取+15 V為宜,。

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路,。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小,。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。其相互關(guān)系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時,，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇,，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負載電流。特別是用作高頻開關(guān)時,，由于開關(guān)損耗增大,，發(fā)熱加劇，選用時應(yīng)該降等使用,。只在關(guān)斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴重地限制了安全操作區(qū)。

確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計一個驅(qū)動器來說,，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù)，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG intern由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V,。常熟加工IGBT模塊工廠直銷

柵射極間施加反壓或不加信號時，MOSFET內(nèi)的溝道消失,，晶體管的基極電流被切斷,，IGBT關(guān)斷。常熟加工IGBT模塊工廠直銷

2,、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件,，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上,，使其溫度上升很多,。3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,，開關(guān)器件通斷快,，開關(guān)損耗小,；反之則慢,，同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,，從而產(chǎn)生較大的干擾,，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧,。二,、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會有很大的差異,。初試可如下選?。撼Ｊ旒庸GBT模塊工廠直銷

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