IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上,、電流10A以上,、頻率為1kHz以上的區(qū)域,。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）,、照相機的頻閃觀測器、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域,。根據(jù)封裝的不同,，IGBT大致分為兩種類型,，一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型,，從TO－3P到小型表面貼裝都已形成系列,。另一種是把IGBT與FWD （FleeWheelDiode）成對地（2或6組）封裝起來的模塊型，主要應(yīng)用在工業(yè)上,。模塊的類型根據(jù)用途的不同,，分為多種形狀及封裝方式，都已形成系列化,。MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,?；⑶饏^(qū)使用IGBT模塊銷售廠家

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實際使用中除IGBT自身外,，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考,。圖2IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）,。昆山質(zhì)量IGBT模塊推薦廠家在安裝或更換IGBT模塊時,，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。

測量靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子,、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大; 表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子,、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個單元沒有明顯的故障. 動態(tài)測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應(yīng)為300-400歐,把表筆對調(diào)也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測試1,、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的,。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,，其輸入極為MOSFET,，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點,，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大,、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位,。在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進,。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機、變頻器,、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大,，驅(qū)動功率小,，控制電路簡單,，開關(guān)損耗小，通斷速度快,，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化,。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達20khz）,，這兩點非常顯著的特性,，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝,、富士,、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;昆山質(zhì)量IGBT模塊推薦廠家

智能化,、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點,。虎丘區(qū)使用IGBT模塊銷售廠家

確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計一個驅(qū)動器來說,，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù)，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG intern虎丘區(qū)使用IGBT模塊銷售廠家

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