由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V,。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時,，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,，當必須要觸摸模塊端子時,，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,，再觸摸;2. 在用導電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作,。只在關斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴重地限制了安全操作區(qū)。張家港質(zhì)量IGBT模塊工廠直銷

IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上,、電流10A以上,、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機,、民用小容量電機,、變換器（逆變器）、照相機的頻閃觀測器,、感應加熱（InductionHeating）電飯鍋等領域,。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型,，一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型,，從TO－3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD （FleeWheelDiode）成對地（2或6組）封裝起來的模塊型,，主要應用在工業(yè)上,。模塊的類型根據(jù)用途的不同，分為多種形狀及封裝方式,，都已形成系列化,。工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊品牌這次從穿通(PT)型技術(shù)先進到非穿通(NPT)型技術(shù)，是基本的,，也是很重大的概念變化,。

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內(nèi)***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片,，由中國科學院微電子研究所設計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)）在華潤微電子工藝平臺上流片成功,，各項參數(shù)均達到設計要求，部分性能優(yōu)于國外同類產(chǎn)品,。這是我國國內(nèi)***自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品,，標志著我國全國產(chǎn)化IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化進程取得了重大突破，擁有了***條專業(yè)的完整通過客戶產(chǎn)品設計驗證的IGBT工藝線,。該科研成果主要面向家用電器應用領域,，聯(lián)合江蘇矽萊克電子科技有限公司進行市場推廣，目前正由國內(nèi)***的家電企業(yè)用戶試用,，微電子所和華潤微電子將聯(lián)合進一步推動國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn),。 [2]

IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時,，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,，所以其B 值極低,。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分,。由于N+ 區(qū)存在電導調(diào)制效應,，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在,。 [1]動態(tài)特性IGBT 在開通過程中,，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期,， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間,， tri 為電流上升時間,。IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關特性,。

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經(jīng)得到廣泛的應用,，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關重要,。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考,。圖2IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。1979年,，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊品牌

在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設計,。張家港質(zhì)量IGBT模塊工廠直銷

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,，Ugs 越高,， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 ,、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分,。在截止狀態(tài)下的IGBT ,，正向電壓由J2 結(jié)承擔，反向電壓由J1結(jié)承擔,。如果無N+ 緩沖區(qū),，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后,，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平,，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線,。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關斷狀態(tài),。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內(nèi),， Id 與Ugs呈線性關系。比較高柵源電壓受比較大漏極電流限制,，其比較好值一般取為15V左右,。張家港質(zhì)量IGBT模塊工廠直銷

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