IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù),，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM,、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM,。PIM向高壓大電流發(fā)展,，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器,。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置,。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,，**降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率,，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM,，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化,、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn),。裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器,。常熟本地IGBT模塊聯(lián)系方式

冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：常熟本地IGBT模塊聯(lián)系方式只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū),。

不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試,。2,、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍,。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值,；Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如,，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電壓-9V，則U=24V,，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,，或2個(gè)1W電阻并聯(lián),。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,，再觸摸;2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作,。盡量在底板良好接地的情況下操作,。

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度,。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下,，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。對(duì)于大功率IGBT，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置,、門極電荷,、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降,、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗,、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響,。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對(duì)IGBT的開通特性,、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,，而門極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計(jì)中,，還要注意開通特性,、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。穿通(PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù),，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞,。常熟本地IGBT模塊聯(lián)系方式

常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右,。常熟本地IGBT模塊聯(lián)系方式

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET,，輸出極為 PNP晶體管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,，在較高頻率的大,、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位,。常熟本地IGBT模塊聯(lián)系方式

傳承電子科技(江蘇)有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己,，要求自己,，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,，在江蘇省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力,，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度,，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同傳承電子科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來,，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品,，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度,，更飽滿的精力去創(chuàng)造,，去拼搏，去努力,，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng),！