可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductor module）,。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）,、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管,、整流管混合模塊（MFC）,、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）,、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）,、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；昆山智能可控硅模塊推薦廠家

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體,，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體,。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等,。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率mosfet，常簡寫為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,，常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時能更節(jié)能,、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,，簡寫psoc),，它能把傳感器件與電路、信號處理電路,、接口電路,、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱,、過壓,、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能。國際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**,。昆山智能可控硅模塊推薦廠家可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1。它有三個PN結(jié)（J1,、J2,、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K,，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,。結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個PN結(jié)，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流,，具有無火花,、動作快、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極,。

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號,，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2,。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式,。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式，但由于負(fù)信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小,。工作比較可靠,，因此在實(shí)際使用時，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多,。大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。

4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時,，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓,。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓栌卸喾N分類方法,。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。高新區(qū)新型可控硅模塊銷售廠家

常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。昆山智能可控硅模塊推薦廠家

用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻,，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大,，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,，但不能為無窮大,。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。萬用表選電阻R×1擋,，將黑表筆接陽極,，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應(yīng)不動,。紅表筆接陰極不動,，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時,，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),，說明該單向可控硅已擊穿損壞。昆山智能可控硅模塊推薦廠家

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