為了克服上述問(wèn)題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā),。一般,，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉,。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。江蘇智能可控硅模塊私人定做

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductor module）。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）,、普通整流管模塊（MDC）,、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）,、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）,、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等,。相城區(qū)使用可控硅模塊聯(lián)系方式使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線,。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的,。***象限的曲線說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),，我們稱為正向電壓，并用符號(hào)U21表示,。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21,，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大,，轉(zhuǎn)折電壓就越低，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí),，叫做反向電壓，并用符號(hào)U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí),，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通，這時(shí)的電流為I12,，其方向是從T1到T2,。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線，如圖4中第三象限所示,。

Ug到來(lái)得早,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右,。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過(guò)10V,，峰值觸發(fā)電流也不宜超過(guò) 2A。A,、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V [1],。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性,。雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅,，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個(gè)PN結(jié)構(gòu)成、有三個(gè)電極的半導(dǎo)體器件,。由于主電極的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從N層引出）,，所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽(yáng)極和陰極，而是把與控制極相近的叫做***電極T1,，另一個(gè)叫做第二電極T2,。雙向可控硅的主要缺點(diǎn)是承受電壓上升率的能力較低。這是因?yàn)殡p向可控硅在一個(gè)方向?qū)ńY(jié)束時(shí),，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置,，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,，如溫度控制,、燈光控制、防爆交流開關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。高新區(qū)應(yīng)用可控硅模塊私人定做

“一觸即發(fā)”。但是,，如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,，晶閘管就不能導(dǎo)通。江蘇智能可控硅模塊私人定做

可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓,，二是控制極也要加正向電壓,。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài),。另外,，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,，可控硅仍然導(dǎo)通,。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的正向電壓，使陽(yáng)極電流小于**小維持電流以下,。單向可控硅為具有三個(gè) PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),，由**外層的 P 層,、N 層引出兩個(gè)電極――陽(yáng) 極 A 和陰極 K，由中間的 P 層引出控制極 G,。電路符號(hào)好像為一只二極管,，但好多一個(gè)引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱,。江蘇智能可控硅模塊私人定做

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